拓荊科技9月12日發(fā)布晚間公告稱，公司擬定增募資不超過46億元，扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額擬投入高端半導體設備產(chǎn)業(yè)化基地建設項目、前沿技術(shù)研發(fā)中心建設項目并補充流動資金。其中，高端半導體設備產(chǎn)業(yè)化基地建設項目系公司使用首次公開發(fā)行募集資金2.68億元投資的項目，公司擬使用本次募集資金15億元對其進行追加投資。

公告顯示，高端半導體設備產(chǎn)業(yè)化基地建設項目擬在遼寧省沈陽市渾南區(qū)新建產(chǎn)業(yè)化基地，包括生產(chǎn)潔凈間、立體庫房、測試實驗室等，并引入先進的生產(chǎn)配套軟硬件，打造規(guī)?；?、智能化、數(shù)字化的高端半導體設備產(chǎn)業(yè)化基地。項目原計劃投資總額11億元，根據(jù)實際需求，擬將項目投資總額由11億元增加至17.68億元，并計劃將原擬由自籌資金投入的8.32億元（截至本預案公告日尚未投入）調(diào)整為由本次募集資金進行投入。

拓荊科技表示，本次項目的實施將大幅提升公司高端半導體設備產(chǎn)能，支撐公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉積設備系列產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化能力，并通過智能化配套設施建設，提升生產(chǎn)效率，以充分滿足下游市場及客戶需求，擴大公司業(yè)務規(guī)模，從而進一步提升公司競爭能力和市場地位。

前沿技術(shù)研發(fā)中心建設項目實施主體為拓荊創(chuàng)益及拓荊上海，擬投資總額20.01億元，擬開展多款先進薄膜沉積設備的研發(fā)，包括PECVD、ALD、溝槽填充CVD等工藝設備，并逐步突破其中的前沿核心技術(shù)，進而形成一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)、面向前沿技術(shù)領域應用的先進薄膜沉積設備產(chǎn)。同時，持續(xù)進行PECVD、ALD、溝槽填充CVD等產(chǎn)品的優(yōu)化升級，不斷提升產(chǎn)品性能，滿足先進工藝的迭代需求。此外，該項目將進行新一代自動化控制系統(tǒng)和控制軟件架構(gòu)開發(fā)，通過智能算法、優(yōu)化數(shù)據(jù)處理等方式，促進設備性能的提升和自主創(chuàng)新性，進一步強化上市公司薄膜沉積設備的市場競爭力。

拓荊科技稱，該項目將從設備的硬件創(chuàng)新設計、控制系統(tǒng)及軟件開發(fā)、高性能薄膜工藝開發(fā)為核心切入點，對多種新型高端薄膜沉積設備進行研發(fā)、產(chǎn)線驗證及優(yōu)化，實現(xiàn)前沿核心技術(shù)的逐步突破，助力半導體產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)的整體國產(chǎn)化轉(zhuǎn)型，提升國內(nèi)半導體供應鏈的安全自主水平。