9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。屆時(shí)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院/國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）異質(zhì)集成先進(jìn)技術(shù)研發(fā)中心主任梁劍波將受邀出席論壇，并帶來《GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡(jiǎn)介

梁劍波，現(xiàn)任江蘇第三代半導(dǎo)體研究院/國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）異質(zhì)集成先進(jìn)技術(shù)研發(fā)中心主任，蘇州晶和半導(dǎo)體科技有限公司董事長(zhǎng)兼技術(shù)總監(jiān)，并兼任大阪公立大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師。2009年與2012年分別獲得日本名古屋工業(yè)大學(xué)碩士和博士學(xué)位，之后在大阪市立大學(xué)電力電子實(shí)驗(yàn)室從事博士后研究，2015年起留校任教，2017年曾赴英國(guó)布里斯托大學(xué)合作研究。長(zhǎng)期專注于第一至第四代半導(dǎo)體材料（金剛石、Si、GaAs、GaN、SiC、Ga?O?等）的異質(zhì)集成與常溫直接鍵合技術(shù)研究，開創(chuàng)性地實(shí)現(xiàn)了金剛石與多種半導(dǎo)體材料在室溫下的高強(qiáng)度、低熱阻結(jié)合，解決了寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件散熱和集成的關(guān)鍵難題。他主持和參與包括日本學(xué)術(shù)振興會(huì)（JSPS）、新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）、日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（JST）等資助的12項(xiàng)科研項(xiàng)目。在 Advanced Materials、Nature Communications、Small 等期刊發(fā)表論文150余篇，申請(qǐng)專利12項(xiàng)，出版專著2部。在產(chǎn)業(yè)化方面，他推動(dòng)12英寸常溫鍵合裝備研發(fā)與量產(chǎn)，建立了金剛石基GaN晶圓、3D集成裝備及寬禁帶器件的產(chǎn)業(yè)化路線。其成果已應(yīng)用于半導(dǎo)體CMOS圖像傳感器和功率器件。目前正致力于4英寸及8英寸金剛石基GaN晶圓研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，為下一代高功率、高頻率器件與先進(jìn)封裝提供支撐。 

單位簡(jiǎn)介

江蘇第三代半導(dǎo)體研究院成立于2019年，位于蘇州工業(yè)園區(qū)，是由江蘇省、蘇州市與園區(qū)共建的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。2021年獲科技部批準(zhǔn)建設(shè)“國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州平臺(tái)）”，成為國(guó)家級(jí)創(chuàng)新體系的重要組成部分。研究院聚焦第三代半導(dǎo)體材料及器件的關(guān)鍵技術(shù)，涵蓋碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石等新型寬禁帶與超寬禁帶材料，圍繞材料制備、器件工藝、先進(jìn)封裝、模塊與系統(tǒng)集成開展研發(fā)攻關(guān)。研究院建有材料生長(zhǎng)、器件工藝與封裝、測(cè)試分析、模塊集成等創(chuàng)新平臺(tái)，配備先進(jìn)研發(fā)設(shè)施，已形成基礎(chǔ)研究、技術(shù)開發(fā)到產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的完整鏈條。通過聯(lián)合高校、科研院所和龍頭企業(yè)，設(shè)立多個(gè)聯(lián)合研發(fā)中心，積極推動(dòng)“產(chǎn)學(xué)研用”深度融合。核心科研團(tuán)隊(duì)已達(dá)數(shù)百人，引進(jìn)多位高層次人才，并通過“揭榜掛帥”等機(jī)制承擔(dān)國(guó)家與地方重點(diǎn)任務(wù)。依托國(guó)家與地方政策支持，研究院在功率電子、新能源、5G通信等領(lǐng)域取得一系列技術(shù)突破，部分成果實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化落地，成為我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略平臺(tái)與創(chuàng)新高地。

報(bào)告前瞻

報(bào)告題目：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究 

報(bào)告摘要：GaAs具有較高的電子遷移率和優(yōu)異的光學(xué)特性，已廣泛應(yīng)用于光電子器件和高速電子器件。然而，當(dāng)其與成本低廉、易于實(shí)現(xiàn)大尺寸化的Si基板，或具有高耐壓、高功率特性的GaN基板進(jìn)行異質(zhì)集成時(shí)，仍面臨諸多挑戰(zhàn)。首先，在GaAs與Si的異質(zhì)接合中，約4.1%的晶格常數(shù)差會(huì)導(dǎo)致界面產(chǎn)生大量位錯(cuò)和缺陷，這是最大的技術(shù)障礙。此外，兩者熱膨脹系數(shù)不匹配，在加熱工藝中容易引發(fā)較大的應(yīng)力和翹曲，進(jìn)而導(dǎo)致界面剝離或結(jié)合強(qiáng)度下降。同時(shí)，Si表面極易形成天然氧化膜，也會(huì)阻礙界面結(jié)合。而在GaAs與GaN的異質(zhì)接合中，晶體結(jié)構(gòu)差異引發(fā)的晶格失配、熱導(dǎo)率差異、表面化學(xué)特性的不同，以及能帶結(jié)構(gòu)不匹配引起的界面電荷積累，都會(huì)對(duì)接合質(zhì)量與器件性能造成不利影響。為克服這些困難，研究者們嘗試采用常溫直接接合技術(shù)，并取得了重要成果。傳統(tǒng)上，GaAs與其他半導(dǎo)體材料的集成需要高溫工藝，但熱膨脹系數(shù)差異帶來的應(yīng)力和界面缺陷始終是難以突破的瓶頸。通過引入表面活化接合技術(shù)（Surface Activated Bonding, SAB），利用等離子體或離子束去除表面氧化層與雜質(zhì)，在原子尺度上實(shí)現(xiàn)界面的清潔與高活性，從而在室溫條件下實(shí)現(xiàn)了原子級(jí)的結(jié)合。研究顯示，GaAs與Si、GaN的常溫接合技術(shù)突破了傳統(tǒng)熱學(xué)與力學(xué)限制，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的半導(dǎo)體異質(zhì)集成，并為光電子與功率電子領(lǐng)域提供了一種具有革新性的技術(shù)平臺(tái)。

 附會(huì)議信息： 

【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日

【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.vipanp.cn）

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍(lán)寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng)，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機(jī)械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備

（高純前驅(qū)體，高純?cè)噭?，高純氣體，高純粉體， 長(zhǎng)晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長(zhǎng)裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測(cè)設(shè)備等）

4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science

（AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測(cè)器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達(dá)，光通信，量子技術(shù)等）

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關(guān)器件，移動(dòng)通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機(jī)，射頻能量等）

7.能源電子及應(yīng)用

（風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源，電動(dòng)汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機(jī)節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費(fèi)電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學(xué)品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）

【程序委員會(huì)】

大會(huì)主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學(xué)）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門大學(xué)）、 徐寶強(qiáng)（昆明理工）、皮孝東（浙江大學(xué)）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學(xué)）、李強(qiáng)（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學(xué)）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學(xué)）、邱峰（云南大學(xué)）、楊杰（云南大學(xué)）、謝自力（南京大學(xué)）、葛振華（昆明理工大學(xué)）、田陽（昆明理工大學(xué)）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學(xué)）、徐明升（山東大學(xué)）、孫海定（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)）、田朋飛（復(fù)旦大學(xué)）、劉玉懷（鄭州大學(xué)）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門大學(xué)）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學(xué)）、李寶學(xué)（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體，南砂晶圓，藍(lán)河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學(xué)，廈門大學(xué)，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學(xué)，西安電子科技大學(xué)，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實(shí)驗(yàn)室，中微公司，矢量集團(tuán)，晶盛機(jī)電，連科半導(dǎo)體，晶澳太陽能  美科太陽能 高景太陽能   中研科精密 華夏芯智慧光子，國(guó)聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導(dǎo)體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學(xué)，阿特斯陽光電力，山東大學(xué)，云南師范大學(xué)，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導(dǎo)體，南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo)，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學(xué)，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學(xué)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所，廣東工業(yè)大學(xué)，南方科技大學(xué)， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學(xué)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)， 西安交通大學(xué)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院， 光迅科技，鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所，科友半導(dǎo)體，STR，河北同光，香港科技大學(xué)，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機(jī)所，哈工大等等 

【活動(dòng)參與】

1、注冊(cè)費(fèi)：會(huì)議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元；（含會(huì)議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費(fèi)方式：

①銀行匯款

開戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊(cè)

掃碼注冊(cè)報(bào)名

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（微信+支付寶）

【論文投稿及報(bào)告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會(huì)參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會(huì)議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國(guó)（云南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價(jià)格：430元/晚（含雙早）

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號(hào)）

郵箱：13759452505@139.com