9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，北京大學特聘副研究員王嘉銘將受邀出席論壇，并帶來《III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究》的主題報告，敬請關(guān)注！
嘉賓簡介
王嘉銘，2015年博士畢業(yè)于北京大學物理學院，現(xiàn)為北京大學特聘副研究員，基金委優(yōu)秀青年科學基金獲得者。長期從事AlGaN基紫外發(fā)光材料與器件研究。在Nature Materials、Nature Communications、Advanced Materials、Light: Science & Applications等期刊發(fā)表論文40余篇。研究成果榮膺2023年度“中國半導體十大研究進展”及2024年度“中國第三代半導體技術(shù)十大進展”。
單位簡介
北京大學寬禁帶半導體研究中心 沈波教授、許福軍教授團隊。北京大學寬禁帶半導體研究中心，依托人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理全國重點實驗室，是國內(nèi)最早從事III族氮化物材料和器件研究的機構(gòu)之一，承擔多項973、國家重點研發(fā)計劃、國家重大科研儀器研制項目等。
報告前瞻
報告題目：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究
報告摘要：紫外光源在保密通訊、公共衛(wèi)生、生物醫(yī)療等領(lǐng)域具有極為廣泛的應(yīng)用，是面向國防安全、人民生命健康的國家重大需求。AlGaN基紫外發(fā)光二極管（UV-LED），作為迄今唯一可實用的固態(tài)紫外光源，憑借無汞污染、壽命長、電壓低、體積小、易于集成等一系列優(yōu)點，成為替代含汞氣態(tài)光源的理想選擇。目前，紫外LED面臨著電光轉(zhuǎn)換效率較低的瓶頸問題，極大地限制了其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。作為典型的p-i-n結(jié)構(gòu)，制約紫外LED性能的因素包括材料外延、器件設(shè)計及制備兩大方面。想要提高器件性能，需要實現(xiàn)有源區(qū)高發(fā)光效率以及載流子高效注入等。本報告圍繞AlN及AlGaN異質(zhì)外延薄膜位錯密度降低、空穴高效注入等方面進行展開，有效優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)堆垛，以此提高紫外LED器件性能。
附會議信息：
【會議時間】 2025年9月26-28日
【會議地點】云南·昆明
【指導單位】
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
【主辦單位】
云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司
極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.vipanp.cn）
半導體照明網(wǎng)(www.china-led.net)
第三代半導體產(chǎn)業(yè)
【承辦單位】
云南鑫耀半導體材料有限公司
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
【支持單位】
賽迪智庫集成電路研究所
中國科學院半導體研究所
云南大學
山東大學
云南師范大學
昆明理工大學
晶體材料全國重點實驗室
.....
【關(guān)鍵材料】
1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
【主要方向】
1.化合物半導體單晶與外延材料
（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設(shè)計等）
2. 硅、高純鍺及鍺基材料
（大硅片生長及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等）
3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關(guān)鍵裝備
（高純前驅(qū)體，高純試劑，高純氣體，高純粉體， 長晶爐，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生長裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測設(shè)備等）
4.測試評價及AI for Science
（AI 驅(qū)動的測試評價革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調(diào)控、缺陷實時檢測與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）
5.光電子器件工藝與應(yīng)用
（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達，光通信，量子技術(shù)等）
6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用
（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關(guān)器件，移動通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機，射頻能量等）
7.能源電子及應(yīng)用
（風電&光伏&儲能新能源，電動汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費電子，儀器儀表等）
8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控
（潔凈廠房，高純水制備，化學品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）
【程序委員會】
大會主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）
副主席：陳秀芳（山東大學）、趙璐冰（CASA)
委員：趙德剛（中科院半導體所）、康俊勇（廈門大學）、 徐寶強（昆明理工）、皮孝東（浙江大學）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學）、李強（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學）、邱峰（云南大學）、楊杰（云南大學）、謝自力（南京大學）、葛振華（昆明理工大學）、田陽（昆明理工大學）、魏同波（中科院半導體所）、許福軍（北京大學）、徐明升（山東大學）、孫海定（中國科學技術(shù)大學）、田朋飛（復(fù)旦大學）、劉玉懷（鄭州大學）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導體所）、高娜（廈門大學）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學）、李寶學（云鍺紅外） ......等
【日程安排】
【擬參與單位】
中科院半導體所、鑫耀半導體，南砂晶圓，藍河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學，廈門大學，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學，西安電子科技大學，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實驗室，中微公司，矢量集團，晶盛機電，連科半導體，晶澳太陽能 美科太陽能 高景太陽能 中研科精密 華夏芯智慧光子，國聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學，阿特斯陽光電力，山東大學，云南師范大學，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導體，南砂晶圓、西安聚能超導，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學，深圳平湖實驗室，中科院長春光機所，廣東工業(yè)大學，南方科技大學， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學，中國科學技術(shù)大學， 西安交通大學，江蘇第三代半導體研究院， 光迅科技，鎵和半導體 全磊光電 新易盛 昆明物理所，科友半導體，STR，河北同光，香港科技大學，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機所，哈工大等等
【活動參與】
1、注冊費：會議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊報名2600元；（含會議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、繳費方式：
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
②在線注冊
掃碼注冊報名
③現(xiàn)場繳費（微信+支付寶）
【論文投稿及報告咨詢】
賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老師:18601994986，linan@casmita.com
【參會參展及商務(wù)合作】
賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
張女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【會議酒店】
酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店
酒店地址：中國（云南）自由貿(mào)易試驗區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園
協(xié)議價格：430元/晚（含雙早）
酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號）
郵箱：13759452505@139.com
