9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在云南昆明舉辦。屆時(shí)，云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理劉漢保將受邀出席論壇，并帶來《基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！
嘉賓簡(jiǎn)介
劉漢保，現(xiàn)任云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理，高級(jí)工程師，昆明理工大學(xué)冶金與能源學(xué)院在讀博士，第五批“春城計(jì)劃”高層次人才。擁有30余項(xiàng)核心專利技術(shù)，發(fā)表學(xué)術(shù)論文多篇。獲得了云南省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)，承擔(dān)完成國(guó)家科技支撐計(jì)劃、國(guó)家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)振興計(jì)劃、國(guó)家工信部工業(yè)強(qiáng)基項(xiàng)目等10余項(xiàng)國(guó)家、省部級(jí)重大專項(xiàng)。主要從事空間衛(wèi)星用太陽能級(jí)鍺晶片及砷化鎵晶片、磷化銦晶片的精密加工工藝研究，突破國(guó)外技術(shù)封鎖，解決了Ⅲ-Ⅴ簇半導(dǎo)體材料“卡脖子”問題。通過優(yōu)化工藝細(xì)節(jié)，提升產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。產(chǎn)品獲得了中國(guó)電科、華為海思等國(guó)內(nèi)外著名企業(yè)的認(rèn)可。
單位簡(jiǎn)介
云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司，是一家專業(yè)從事砷化鎵、磷化銦等光電半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，是我國(guó)著名的III-V族化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商和供應(yīng)商，是國(guó)內(nèi)唯一一家華為戰(zhàn)略投資入股的砷化鎵、磷化銦生產(chǎn)企業(yè)，擁有III-V族高端光電半導(dǎo)體材料研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，掌握砷化鎵、磷化銦從單晶生長(zhǎng)、晶片加工、測(cè)試檢驗(yàn)完整的關(guān)鍵技術(shù)和核心工藝。公司擁有專利69項(xiàng)；先后承擔(dān)國(guó)家級(jí)、省部級(jí)項(xiàng)目10余項(xiàng)；主持或參與制修訂標(biāo)準(zhǔn)5項(xiàng)，軟著3項(xiàng)。2021年獲國(guó)家級(jí)“專精特新”重點(diǎn)小巨人、“國(guó)家級(jí)綠色工廠”、云南省制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)等榮譽(yù)，2024年度獲智能制造100強(qiáng)企業(yè)。
報(bào)告前瞻
報(bào)告題目：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究
報(bào)告摘要：半絕緣砷化鎵（SI-GaAs）晶體的質(zhì)量高度依賴于其本征缺陷（如EL2深能級(jí)缺陷）和雜質(zhì)（特別是碳和氧）的濃度與補(bǔ)償。其中，氧雜質(zhì)是導(dǎo)致材料電學(xué)性質(zhì)不均勻和不穩(wěn)定的關(guān)鍵因素之一。本研究采用垂直梯度凝固法（VGF），系統(tǒng)性地優(yōu)化了晶體生長(zhǎng)工藝以降低晶體中的氧含量。通過（1）優(yōu)化氧化硼覆蓋劑（B?O?）的脫水預(yù)處理工藝；（2）精確控制爐內(nèi)壓力與氣氛（高純氮?dú)猸h(huán)境）；（3）設(shè)計(jì)特定的熱場(chǎng)溫度梯度以改善固液界面形狀，成功制備了6英寸低氧半絕緣GaAs單晶。利用二次離子質(zhì)譜（SIMS）分析表明，優(yōu)化后晶體的平均氧含量降至< 5×10¹? cm?³，較傳統(tǒng)工藝降低了近兩個(gè)數(shù)量級(jí)?；魻栃?yīng)測(cè)試結(jié)果顯示，材料的電阻率穩(wěn)定在（1-5） 10? Ω·cm量級(jí)，電子遷移率超過5500 cm²/V·s，且晶圓片內(nèi)電阻率分布均勻性（標(biāo)準(zhǔn)偏差）顯著提升至< 10%。本研究為制備高性能、高一致性的半絕緣GaAs襯底提供了可靠的工藝方案。
附會(huì)議信息：
【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日
【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明
【指導(dǎo)單位】
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
【主辦單位】
云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.vipanp.cn）
半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
【承辦單位】
云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
【支持單位】
賽迪智庫集成電路研究所
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
云南大學(xué)
山東大學(xué)
云南師范大學(xué)
昆明理工大學(xué)
晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
.....
【關(guān)鍵材料】
1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；
【主要方向】
1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料
（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍(lán)寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等）
2. 硅、高純鍺及鍺基材料
（大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng)，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機(jī)械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等）
3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備
（高純前驅(qū)體，高純?cè)噭?，高純氣體，高純粉體， 長(zhǎng)晶爐，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生長(zhǎng)裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測(cè)設(shè)備等）
4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science
（AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）
5.光電子器件工藝與應(yīng)用
（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測(cè)器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達(dá)，光通信，量子技術(shù)等）
6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用
（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關(guān)器件，移動(dòng)通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機(jī)，射頻能量等）
7.能源電子及應(yīng)用
（風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源，電動(dòng)汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機(jī)節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費(fèi)電子，儀器儀表等）
8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控
（潔凈廠房，高純水制備，化學(xué)品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）
【程序委員會(huì)】
大會(huì)主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）
副主席：陳秀芳（山東大學(xué)）、趙璐冰（CASA)
委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門大學(xué)）、 徐寶強(qiáng)（昆明理工）、皮孝東（浙江大學(xué)）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學(xué)）、李強(qiáng)（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學(xué)）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學(xué)）、邱峰（云南大學(xué)）、楊杰（云南大學(xué)）、謝自力（南京大學(xué)）、葛振華（昆明理工大學(xué)）、田陽（昆明理工大學(xué)）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學(xué)）、徐明升（山東大學(xué)）、孫海定（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)）、田朋飛（復(fù)旦大學(xué)）、劉玉懷（鄭州大學(xué)）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門大學(xué)）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學(xué)）、李寶學(xué)（云鍺紅外） ......等
【日程安排】
【擬參與單位】
中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體，南砂晶圓，藍(lán)河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學(xué)，廈門大學(xué)，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學(xué)，西安電子科技大學(xué)，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實(shí)驗(yàn)室，中微公司，矢量集團(tuán)，晶盛機(jī)電，連科半導(dǎo)體，晶澳太陽能 美科太陽能 高景太陽能 中研科精密 華夏芯智慧光子，國(guó)聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導(dǎo)體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學(xué)，阿特斯陽光電力，山東大學(xué)，云南師范大學(xué)，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導(dǎo)體，南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo)，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學(xué)，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學(xué)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所，廣東工業(yè)大學(xué)，南方科技大學(xué)， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學(xué)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)， 西安交通大學(xué)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院， 光迅科技，鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛 昆明物理所，科友半導(dǎo)體，STR，河北同光，香港科技大學(xué)，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機(jī)所，哈工大等等
【活動(dòng)參與】
1、注冊(cè)費(fèi)：會(huì)議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元；（含會(huì)議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、繳費(fèi)方式：
①銀行匯款
開戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào)：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
②在線注冊(cè)
掃碼注冊(cè)報(bào)名
③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（微信+支付寶）
【論文投稿及報(bào)告咨詢】
賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老師:18601994986，linan@casmita.com
【參會(huì)參展及商務(wù)合作】
賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
張女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【會(huì)議酒店】
酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店
酒店地址：中國(guó)（云南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園
協(xié)議價(jià)格：430元/晚（含雙早）
酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號(hào)）
郵箱：13759452505@139.com
