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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

國內(nèi)首次太赫茲軌道角動量的實時無線傳輸通信實驗完成 6G關(guān)鍵技術(shù)有新突破

中國半導(dǎo)體十大研究進展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高靈敏X-射線探測

簡述激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

簡述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究

上海微系統(tǒng)所等在自參考太赫茲雙光梳方面取得重要進展

北京大學(xué)攻克激光雷達抗干擾和高精度并行探測兩個世界性難題

基于金剛石的先進熱管理技術(shù)研究進展

山東大學(xué)陶緒堂教授團隊提出一種新型氧化物X射線探測材料的設(shè)計思路

中國科大制備出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦單晶LED

打破國外壟斷武漢先進院有機硅材料制備技術(shù)取得突破

簡述碳化硅襯底制備的重點與難點

復(fù)旦研究團隊實現(xiàn)單芯片紫光Micro-LED超過10Gbps通信速率

簡述MOSFET與IGBT的區(qū)別

簡述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進展

第三代半導(dǎo)體SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

中國科大首次實現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進展

廈大研究團隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

國際首次！科研團隊在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

復(fù)旦大學(xué)研究團隊實現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

中國科大在電源管理芯片設(shè)計領(lǐng)域取得新進展

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進展

國內(nèi)首家！廈門大學(xué)實現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

世界首例！西湖大學(xué)發(fā)現(xiàn)具有本征相干性的光陰極量子材料

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

內(nèi)置深度學(xué)習(xí)算法|OPT（奧普特）智能讀碼器精準識碼

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