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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

中國芯片率先將量子技術(shù)引入手機(jī)芯片，以差異化競爭優(yōu)勢挑戰(zhàn)高通

2個數(shù)量級提速，湖南大學(xué)自研“存算一體”非馮·諾依曼類腦芯片架構(gòu)

半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商IQE開發(fā)出全球首批8英寸VCSEL外延片

上?？萍即髮W(xué)陳佰樂團(tuán)隊實現(xiàn)了室溫工作超寬光譜光電探測器

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

量子點合成及其光電功能薄膜研究進(jìn)展

淺析基于量子成像的下一代甚高靈敏度圖像傳感器技術(shù)

生效條件正在變化，摩爾定律到盡頭了嗎？

尋找合適的半導(dǎo)體技術(shù)，解決數(shù)據(jù)中心電源挑戰(zhàn)

紫外增強(qiáng)圖像傳感器的研究進(jìn)展

有機(jī)光伏器件中載流子輸運的時空重復(fù)性

南京大學(xué)譚海仁課題組實現(xiàn)可量產(chǎn)化的全鈣鈦礦疊層光伏組件

二維半導(dǎo)體環(huán)柵晶體管和垂直互補(bǔ)晶體管的陣列驗證

北京理工大學(xué)在拓?fù)湮⒓{光子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院蘇州納米所趙志剛團(tuán)隊Analytical Chemistry：量子點尺寸調(diào)控實現(xiàn)半導(dǎo)體SERS基底性能提升和無機(jī)小分子檢測

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

中科院金屬所發(fā)明一種光控二極管

簡述汽車芯片

25 kW SiC直流快充設(shè)計指南(第四部分)：DC-DC級的設(shè)計考慮因素和仿真

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對并聯(lián)均流的影響

解析射頻微波電感器件之選用玻璃陶瓷基板

半導(dǎo)體材料的點空位缺陷工程用于環(huán)境修復(fù)以及可持續(xù)能源生產(chǎn)

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)取得新突破

中科院物理所在光致VO2非易失相變及智能光電傳感應(yīng)用方面取得新進(jìn)展

又2項，華為再公開芯片相關(guān)專利

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

設(shè)計基于SiC的電動汽車直流快速充電機(jī)

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)

固體所在二維材料光電探測器研究方面取得新進(jìn)展

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