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美國為何瞄準“傳統(tǒng)半導體”？

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學劉人寬：基于多層級多場域的壓接型IGBT模塊失效演化機制研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學巫江：基于化合物半導體異質結的高性能器件設計與制備

CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大學王來利：碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究

CSPSD2024專家學者名企云集，33位演講嘉賓聚焦前沿，4月26-28日成都見！

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機驅動電路研究

CSPSD 2024成都前瞻|海思科技包琦龍：ICT?場景下中低壓?(<200V) GaN?器件應用挑戰(zhàn)

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強型GaN功率器件設計與仿真技術

CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半導體劉成：應用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術

CSPSD 2024成都前瞻|南方科技大學葉懷宇：碳化硅先進封裝及全銅化技術

27位演講嘉賓公布！2024功率半導體器件與集成電路會議4月26-28日成都見！

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學張金平：IGBT的技術演進與未來發(fā)展趨勢

國內首臺大芯片先進封裝專用光刻機交付入廠

廈門大學團隊在第四代半導體氧化鎵材料外延和深紫外探測應用領域研究取得重要進展

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學王德君：SiC半導體表界面缺陷及MOS器件可靠性

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學張紫輝：GaN功率半導體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護技術分析與研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學章文通：硅基超結-功率半導體More silicon發(fā)展的主力器件

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學嚴穎怡：在功率變換器中電流檢測的挑戰(zhàn)

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學羅小蓉：《氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用

17位報告嘉賓公布！2024功率半導體器件與集成電路會議4月26-28日成都見！

九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會期待與您2025再會！

大基金二期入股EDA企業(yè)九同方

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學孫佳慧：肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性

CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大學劉雯：用于功率轉換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實驗室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

CSPSD 2024成都前瞻 |海威華芯林書勛：新型功率半導體器件在新基建中的應用

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試方法》等兩項團體標準形成征求意見稿

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關安全工作區(qū)的研究

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