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聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開(kāi)始逐步放量

國(guó)星光電亮相2025ALE：智創(chuàng)未來(lái)汽車光電新生態(tài)

Wolfspeed：高效率和耐久性為成本優(yōu)化的系統(tǒng)提供重要價(jià)值

中微公司發(fā)布首款晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona?，刻蝕關(guān)鍵工藝全覆蓋再進(jìn)一步

天岳先進(jìn)全面進(jìn)軍12英寸新時(shí)代！

天科合達(dá)申請(qǐng)?jiān)谯釄鍍?nèi)部放置石墨件來(lái)提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

西湖儀器：實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域再次實(shí)現(xiàn)重大突破

半導(dǎo)體量檢測(cè)裝備，迎來(lái)新勢(shì)力

Tower Semiconductor 宣布與 Alcyon Photonics合作加速集成光子技術(shù)創(chuàng)新

北方華創(chuàng)進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng) 拓展半導(dǎo)體制造裝備版圖

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問(wèn)世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見(jiàn)證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

吉佳藍(lán)中國(guó)總部在無(wú)錫啟用，半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備搶占更大市場(chǎng)

臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，全新解決方案引領(lǐng)行業(yè)潮流！

山東晶鎵申請(qǐng)一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

國(guó)星光電：子公司風(fēng)華芯電氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并開(kāi)始接單

總額約為3億元！旭有機(jī)材中國(guó)增設(shè)新廠擴(kuò)充半導(dǎo)體電子材料產(chǎn)能

江蘇超芯星半導(dǎo)體申請(qǐng)一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產(chǎn)成本

華大九天投資EDA初創(chuàng)公司九之星

EV集團(tuán)推出面向300毫米晶圓的下一代GEMINI?全自動(dòng)生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)，推動(dòng)MEMS制造升級(jí)

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利，提升遠(yuǎn)場(chǎng)圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

上海光通信申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

泰科天潤(rùn)“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

納微為AI數(shù)據(jù)中心電源打造效率新標(biāo)桿超越80 PLUS紅寶石標(biāo)準(zhǔn)

中芯北方取得半導(dǎo)體器件及其形成方法專利

日本政府出售JDI全部股份，總投資虧損超1500億日元

安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺(tái)方面實(shí)現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

有研硅擬以5790萬(wàn)元收購(gòu)日企DGT 70%股權(quán)

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