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中國科學院半導體所在基于伊辛智能計算的光子集成電路快速重構研究方面取得新進展

能訊持續(xù)升級高性能氮化鎵工藝平臺，助推產(chǎn)學研融通創(chuàng)新

中國科學院半導體研究所鄭婉華院士團隊自組織拓撲激光器研發(fā)取得新進展

南科大深港微電子學院高源團隊在高性能電源管理芯片領域取得重要研究成果

中國科學院半導體所氮化物片上光通信集成系統(tǒng)研制取得新進展

復旦田朋飛課題組綠光micro-LED研究進展?：?2GHz帶寬下實現(xiàn)9Gbps通信速率

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構建高效人工視覺系統(tǒng)

晶飛半導體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術取得新突破！

廈門大學&廈門市未來顯示技術研究院團隊基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側壁鈍化新方法

中國科學院微電子所研發(fā)成功互補單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

中國科學院微電子所在芯粒集成電遷移EDA工具研究方向取得重要進展

北理工課題組在極端環(huán)境下金剛石高壓合成方面取得新進展

中國科學院蘇州納米所陸書龍團隊在氮化鎵基單片集成器件領域取得進展

上海交大集成電路學院團隊在光收發(fā)芯片領域迎來新突破

北京大學許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

中國科學院氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究獲進展

國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質量GaN外延

中國科學技術大學在水陸兩棲紫外光電器件領域取得重要進展

北京大學在IEEE ISPSD發(fā)表2項寬禁帶半導體功率器件重要技術進展

科普系列 | 氮化鎵：開啟科技新時代的 “魔法材料”

Science Advances：南京大學聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質量半導體薄膜外延生長

青禾晶元鍵合技術突破GeOI產(chǎn)業(yè)化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！

科研成果 | 唐寧、沈波團隊與合作者利用深紫外光譜在原子級薄超寬禁帶半導體能帶結構研究方面取得重要進展

蘇州納米所秦華團隊在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進展

中國科學技術大學孫海定教授團隊ACS Nano：用于皮膚健康防護的可穿戴水陸兩棲紫外線探測器

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

科研新進展 | 廈大周偉教授團隊在激光精密制造領域取得突破進展

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