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長春光機所聯(lián)合東方理工大學研究團隊在寬禁帶氮化物載流子動力學研究方面取得重要進展

北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展

Nature Review EE：第三代半導體和電力電子是實現(xiàn)碳中和的關鍵路徑

大連理工大學學生團隊攻克新型電力系統(tǒng)抗擾動能力弱難題

復旦微電子學院季力教授團隊在金屬-絕緣體-半導體(MIS)結構的光催化水裂解電極方向取得成果

我國攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術

西安電子科技大學攻克 1200V 以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術

廈門大學康俊勇教授團隊：人工智能無損表征技術，助力SiC晶體生長

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北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

九峰山實驗室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

我國芯片領域實現(xiàn)新突破算力提升三千余倍

俄亥俄州立大學的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

簡述電力電子中 IGBT 散熱器選型應用

Nature Electronics 電力電子首篇綜述 - 功率器件的多維結構

電力電子中 IGBT 散熱器選型應用

國際首臺基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗

基于原子層沉積技術的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

基于微結構納米復合薄膜的超靈敏柔性壓力傳感器

新研究顯示立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導體材料

先進碳化硅技術助力儲能系統(tǒng)

?Wolfspeed：先進碳化硅技術，助力簡化半導體設備設計

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領域邊界

SK海力士開發(fā)出下一代智能內存芯片技術PIM

日企致力于開發(fā)功率器件應用材料以減工時

高壓大功率碳化硅電力電子器件研制進展

南京大學電子科學與工程學院研究團隊與華為合作成功研制智能表面新架構助力5G網(wǎng)絡性能提升

固體所研發(fā)出新型高效固態(tài)熱二極管

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領域取得進展

中電科200mm拋光設備已進入中芯國際、華虹宏力、臺積電、聯(lián)電等國內大線

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