亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<bdo id="hrwdm"><span id="hrwdm"></span></bdo>

<pre id="hrwdm"><label id="hrwdm"><th id="hrwdm"></th></label></pre>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

日本初創(chuàng)公司開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

上海光機(jī)所在高重頻高功率超快激光器研究取得進(jìn)展

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

嘉善復(fù)旦研究院與復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在低傳導(dǎo)損耗功率器件方面取得重大進(jìn)展

我國(guó)取得深海大功率人工源電磁探測(cè)技術(shù)新突破

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

中國(guó)科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

簡(jiǎn)述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場(chǎng)發(fā)展概況

簡(jiǎn)述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

簡(jiǎn)述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器提高開(kāi)關(guān)電源功率密度

蘇州納米所孫錢(qián)團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動(dòng)汽車

淺述GaN功率器件的發(fā)展

簡(jiǎn)述功率MOSFET電流額定值和熱設(shè)計(jì)

Nature Electronics 電力電子首篇綜述 - 功率器件的多維結(jié)構(gòu)

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級(jí)聯(lián)905nm VCSEL

簡(jiǎn)述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

第2頁(yè)/共4頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<bdo id="zt722"><span id="zt722"></span></bdo>