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簡(jiǎn)述使用不同類型GaN FET 設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)功率密度

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見

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金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

汽車功率器件的熱管理探討

Wolfspeed ：高功率應(yīng)用的可擴(kuò)展性設(shè)計(jì)

高功率大能量飛秒脈沖激光技術(shù)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

淺述IGBT在高功率環(huán)境中的散熱方法

Wolfspeed：SiC 功率模塊最大限度提高有源前端效率

大功率芯片研制獲突破

碳化硅功率器件在車載充電機(jī) OBC中的應(yīng)用簡(jiǎn)述

高壓大功率芯片封裝的散熱研究與仿真分析

中國(guó)科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團(tuán)隊(duì)研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

中國(guó)半導(dǎo)體功率器件 TOP10

6英寸晶圓高功率半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)線

Vicor 在2022底特律國(guó)際汽車設(shè)計(jì)工程展（WCX）上為 xEV 呈現(xiàn)最高功率密度的汽車解決方案

大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來(lái)的可能性

國(guó)際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國(guó)際首次超越SiC理論極限

重慶郵電大學(xué)成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體功率芯片

日企致力于開發(fā)功率器件應(yīng)用材料以減工時(shí)

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