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中國(guó)科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長(zhǎng)的（001）β-Ga2O3外延層

新型手性有機(jī)半導(dǎo)體面世

美國(guó)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

Science：AI驅(qū)動(dòng)閉環(huán)設(shè)計(jì)，加速高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

上海交大在n型有機(jī)半導(dǎo)體摻雜領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院在有機(jī)半導(dǎo)體材料室溫自旋輸運(yùn)和微觀弛豫研究獲進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)半導(dǎo)體所有源光束掃描激光器研發(fā)取得進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)半導(dǎo)體性光刻膠，實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造

山東大學(xué)郝曉濤團(tuán)隊(duì)在有機(jī)半導(dǎo)體光伏器件物理研究中取得新進(jìn)展

香港科技大學(xué)開(kāi)發(fā)高效結(jié)合III-V與硅的新集成技術(shù) 有助革新數(shù)據(jù)通信

廈大、華為合作，實(shí)現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

一體化芯片同時(shí)集成激光器和光子波導(dǎo)，有望催生更精確原子鐘實(shí)驗(yàn)

【國(guó)際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

臺(tái)積2納米試產(chǎn) 有動(dòng)作了

國(guó)內(nèi)首次太赫茲軌道角動(dòng)量的實(shí)時(shí)無(wú)線傳輸通信實(shí)驗(yàn)完成 6G關(guān)鍵技術(shù)有新突破

打破國(guó)外壟斷武漢先進(jìn)院有機(jī)硅材料制備技術(shù)取得突破

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

世界首例！西湖大學(xué)發(fā)現(xiàn)具有本征相干性的光陰極量子材料

簡(jiǎn)述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

長(zhǎng)春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

廈大課題組在有機(jī)半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

中科院物理所在集成有亞波長(zhǎng)光柵的臺(tái)面型InGaAs基短波紅外偏振探測(cè)器取得進(jìn)展

馮志紅團(tuán)隊(duì)在(001)單晶金剛石上制備了具有同質(zhì)外延層的金剛石FET

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基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

新研究顯示立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導(dǎo)體材料

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