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科普系列 | 氮化鎵：開啟科技新時代的 “魔法材料”

西電集成電路學部聯(lián)合武漢大學在寬禁帶半導體材料領域取得突破性進展

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導體異構集成掃清了關鍵障礙

東京大學研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

寧波材料所在超寬禁帶半導體基日盲紫外探測領域取得系列進展

浙大團隊最新《Science》：半赫斯勒窄帶半導體材料的壓電效應

材料深一度|催化反應技術分類及應用概述

哈工大宋清海、陳怡沐教授團隊研發(fā)新型手性光電材料為電致圓偏振光源提供新思路

中國科學院半導體所等在層狀半導體材料的拉曼散射理論和實驗方面取得重要進展

半導體所等在層狀半導體材料的拉曼散射理論和實驗方面取得重要進展

北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展

我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件

核能安全所在超寬禁帶材料半導體輻射探測器研制方面取得新進展

寧波材料所與鄭州大學實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質結器件突破

Science：AI驅動閉環(huán)設計，加速高性能有機半導體材料發(fā)現(xiàn)

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展

上應大科研團隊在光探測材料與器件領域取得重要進展！

水稻“生出”半導體材料，我國團隊實現(xiàn)了！

中科院在有機半導體材料室溫自旋輸運和微觀弛豫研究獲進展

我國科學家實現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

北大電子學院張志勇課題組提出集成電路用碳納米管材料要求

呂堅院士團隊 l 3D打印莫來石增強的碳化硅氣凝膠復合材料

科學家研發(fā)出新型散熱材料超薄金剛石膜可將電動汽車充電速度提升五倍

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導體生產新材料成本降低75%

新進展│深圳大學劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

廈門大學林楷強教授團隊在二維半導體材料的激子研究方面取得新進展

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術

南開團隊在缺陷調控構筑新光電材料方面取得重要進展

研究稱芯片中的硅或可被新材料取代

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