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高壓碳化硅器件封裝國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)綜述

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長(zhǎng)集成

WOLFSPEED：?使用碳化硅進(jìn)行雙向車(chē)載充電機(jī)設(shè)計(jì)

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

上海微系統(tǒng)所等實(shí)現(xiàn)硅基異質(zhì)集成的片上量子點(diǎn)發(fā)光

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)獲得成功

超芯星6英寸碳化硅襯底進(jìn)入美國(guó)高端市場(chǎng)

新研究顯示立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導(dǎo)體材料

中科院上海微系統(tǒng)所團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)基于III-V族量子點(diǎn)確定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子學(xué)芯片

中科院半導(dǎo)體所在硅基鍺錫中紅外探測(cè)器方面取得進(jìn)展

碳化硅功率器件在車(chē)載充電機(jī) OBC中的應(yīng)用簡(jiǎn)述

華為公布量子芯片新專(zhuān)利，若實(shí)現(xiàn)商用或革新當(dāng)下硅基芯片技術(shù)

先進(jìn)碳化硅技術(shù)助力儲(chǔ)能系統(tǒng)

?Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)，助力簡(jiǎn)化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)

Wolfspeed：碳化硅技術(shù)在并網(wǎng)型應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

高可靠性電容式硅麥克風(fēng)在車(chē)載中的應(yīng)用

? Wolfspeed：采用碳化硅技術(shù)，滿足最新能效標(biāo)準(zhǔn)

Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)賦能離線式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

中國(guó)科大實(shí)現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進(jìn)展

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

碳化硅激光剝離設(shè)備國(guó)產(chǎn)化中電科二所取得突破性進(jìn)展

中國(guó)科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在硅基半導(dǎo)體自旋量子比特操控研究中取得進(jìn)展

丹麥技術(shù)大學(xué)副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺(tái)

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