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Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長(zhǎng)

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長(zhǎng)難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平

浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)Nat.Commun.：量子點(diǎn)LED大突破！亮度翻倍，光效超國(guó)標(biāo)，2035年照明技術(shù)提前實(shí)現(xiàn)！

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級(jí)4H-SiC紫外光電探測(cè)器

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時(shí)代

南京再迎半導(dǎo)體領(lǐng)域重磅盛會(huì)！6月20日啟幕，共話半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇與挑戰(zhàn)

南開大學(xué)研發(fā)光學(xué)焦平面陣列堆疊芯片，實(shí)現(xiàn)毫米波高速成像

美國(guó)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

Science：AI驅(qū)動(dòng)閉環(huán)設(shè)計(jì)，加速高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)，3天發(fā)3篇頂刊！

東南大學(xué)，Nature Electronics！

中機(jī)新材——團(tuán)聚金剛石技術(shù)，賦能晶圓減薄新高度

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

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水稻“生出”半導(dǎo)體材料，我國(guó)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了！

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

國(guó)內(nèi)高校實(shí)現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

我國(guó)科學(xué)家實(shí)現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

光谷光通信傳輸最新成果，又破世界紀(jì)錄！

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)半導(dǎo)體性光刻膠，實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

九峰山實(shí)驗(yàn)室+華中科大聯(lián)合攻關(guān)，一種新型光刻膠技術(shù)完成初步工藝驗(yàn)證

廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長(zhǎng)

北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

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