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國內(nèi)首款！2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

我國高性能光子芯片領域取得突破可批量制造！

技術進展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

科學家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

厚度達100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進展

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關效應的半導體器件

九峰山實驗室+華中科大聯(lián)合攻關，一種新型光刻膠技術完成初步工藝驗證

廈門大學康俊勇教授團隊：人工智能無損表征技術，助力SiC晶體生長

一種IGBT結溫預測的方法

北京大學申請p溝道氮化鎵異質結晶體管及其制備方法專利，實現(xiàn)電流密度的增加

中國科學院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質集成方面取得新進展

廈門大學于大全教授團隊與華為團隊合作在先進封裝金剛石散熱技術領域取得突破

西交大科研人員在hBN真空紫外探測器領域取得重要進展

光谷實驗室攻克量子點短波紅外成像新技術

哈工大鄭州研究院在CVD法制備純凈分散納米金剛石技術領域取得重要進展

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術的p-GaN柵極增強型電力電子器件

中科大孫海定教授Adv. Mater.: 構建雙極型氮化鎵PN結實現(xiàn)雙通道加密光通信應用

豐田合成、大阪大學等成功制備6吋GaN襯底

半導體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

福建物構所新型高效近紅外量子點熒光粉及其micro-LED應用獲進展

科學家研發(fā)出新型散熱材料超薄金剛石膜可將電動汽車充電速度提升五倍

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導體生產(chǎn)新材料成本降低75%

山東大學郝曉濤團隊在有機半導體光伏器件物理研究中取得新進展

復旦大學微電子學院三篇高水平成果亮相ISSCC 2024

西安交大毫米波頻率源芯片研究成果在ISSCC2024發(fā)表

浙大科研團隊新發(fā)現(xiàn)或突破電動汽車鋰電池“快充和低溫”瓶頸

重慶研究院發(fā)展出仿生“視聽”光電探測器

復旦大學微電子學院器件工藝團隊研發(fā)基于全無機鈣鈦礦的多功能集成光子器件

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