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中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)

晶飛半導體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)取得新突破！

廈門大學&廈門市未來顯示技術(shù)研究院團隊基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新方法

中國科學院微電子所研發(fā)成功互補單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

中國科學院微電子所在芯粒集成電遷移EDA工具研究方向取得重要進展

北理工課題組在極端環(huán)境下金剛石高壓合成方面取得新進展

中國科學院蘇州納米所陸書龍團隊在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進展

上海交大集成電路學院團隊在光收發(fā)芯片領(lǐng)域迎來新突破

北京大學許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

中國科學院氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究獲進展

國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

中國科學技術(shù)大學在水陸兩棲紫外光電器件領(lǐng)域取得重要進展

北京大學在IEEE ISPSD發(fā)表2項寬禁帶半導體功率器件重要技術(shù)進展

科普系列 | 氮化鎵：開啟科技新時代的 “魔法材料”

Science Advances：南京大學聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導體薄膜外延生長

青禾晶元鍵合技術(shù)突破GeOI產(chǎn)業(yè)化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！

科研成果 | 唐寧、沈波團隊與合作者利用深紫外光譜在原子級薄超寬禁帶半導體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進展

蘇州納米所秦華團隊在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進展

中國科學技術(shù)大學孫海定教授團隊ACS Nano：用于皮膚健康防護的可穿戴水陸兩棲紫外線探測器

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

科研新進展 | 廈大周偉教授團隊在激光精密制造領(lǐng)域取得突破進展

北大電子學院王興軍、舒浩文團隊在超高速光互連領(lǐng)域取得重要進展

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

長春光機所聯(lián)合東方理工大學研究團隊在寬禁帶氮化物載流子動力學研究方面取得重要進展

半導體所在低維半導體偏振光探測方面取得系列進展

西電集成電路學部聯(lián)合武漢大學在寬禁帶半導體材料領(lǐng)域取得突破性進展

中國科學院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進展

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

北京大學王新強、王平、王濤團隊在纖鋅礦氮化物鐵電半導體研究上取得重要進展

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