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西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

吉林大學(xué)團隊發(fā)表金剛石 n 型摻雜最新成果

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

北理工課題組在低維偏振熱輻射納米光源方面取得新進展

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

西電郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

自主突破，九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

我國科學(xué)家合成了鉆石里的“六邊形戰(zhàn)士”

清華大學(xué)化學(xué)系團隊合作開發(fā)出理想的極紫外（EUV）光刻膠材料

中國科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

南京大學(xué)王欣然教授團隊Nature Materials：實現(xiàn)晶圓級二維半導(dǎo)體堆垛調(diào)控新進展

8N8！中宜創(chuàng)芯碳化硅粉體純度刷新全球行業(yè)記錄

寧波材料所開發(fā)出4英寸超薄、超低翹曲金剛石自支撐薄膜

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

刷新紀(jì)錄！鄭州大學(xué)實現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長

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南京工業(yè)大學(xué)先進材料AM：界面誘導(dǎo)生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團隊綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

朱鐵軍教授團隊《Science》：半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料的壓電效應(yīng)

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重大突破！吉林大學(xué)領(lǐng)銜，高壓人工合成出隕石中的超級鉆石“六方金剛石”

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

金剛石基晶體管，里程碑突破！

量子材料領(lǐng)域十年難題獲破解，理想外爾半金屬首次合成

東南大學(xué)團隊在日盲光電探測領(lǐng)域取得新進展

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