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芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

復(fù)旦大學(xué)IGBT功率循環(huán)測試儀器（第二次）國際招標(biāo)公告

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

廣州增芯科技12英寸先進智能傳感器及特色工藝晶圓制造產(chǎn)線項目成功通線

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）項目樁基建設(shè)啟動總投資52.9億元

北一半導(dǎo)體功率器件項目在江蘇鹽城開工總投資10億元

內(nèi)江高新區(qū)智能綠色電子元器件生產(chǎn)項目建成投產(chǎn)

粵桂半導(dǎo)體器件智能產(chǎn)業(yè)園項目實現(xiàn)竣工

總投資10億元，北一半導(dǎo)體功率器件項目在江蘇鹽城開工

鑫誠光電高端激光器芯片制造項目落地佛山總投資10億元

年產(chǎn)60萬片！傲威半導(dǎo)體車規(guī)級功率半導(dǎo)體器件項目開工

合肥芯谷微電子微波器件及模組項目主廠房封頂總投資約11億元

芯谷微電子微波器件及模組項目主廠房封頂

CASICON晶體大會平行論壇3：砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術(shù)

海納股份高端功率器件用半導(dǎo)體級拋光片生產(chǎn)線項目結(jié)頂總投資22.14億元

天瞳富聯(lián)智能駕駛域控制器項目落地臨港新片區(qū)

海納股份高端功率器件用半導(dǎo)體級拋光片生產(chǎn)線項目正式結(jié)頂

士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目今日開工

CASICON晶體大會前瞻|砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術(shù)分論壇日程出爐

長晶浦聯(lián)年產(chǎn)200億顆新型元器件項目，預(yù)計8月竣工驗收

CASICON晶體大會前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

CASICON晶體大會前瞻|山東華光孫素娟：高功率疊陣激光器及相關(guān)技術(shù)

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會前瞻|中國電子科技集團第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風(fēng)潮

科技成果推介｜增強型GaN電力電子器件

宇樹科技 Unitree G1 9.9萬元機器人面世，電機成本分析

CASICON晶體大會前瞻|南方科技大學(xué)劉召軍:第三代半導(dǎo)體光電器件與Micro-LED新型顯示技術(shù)

CASICON晶體大會前瞻|中國電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進展及機遇

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