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北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)日程出爐|IFWS 2024前瞻

國(guó)星光電子公司風(fēng)華芯電成功開(kāi)發(fā)出扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

SSLCHINA 2024前瞻：氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用分會(huì)日程出爐

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)日程出爐

臨沂：加快氮化鎵新材料項(xiàng)目建設(shè)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)日程出爐 | IFWS2024 前瞻

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍

一文解開(kāi)遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

德州儀器新氮化鎵工廠投產(chǎn)

晶馳機(jī)電：碳化硅、金剛石、氮化鋁半導(dǎo)體材料裝備項(xiàng)目有望本月投產(chǎn)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

浪潮華光參與制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試透射電子顯微鏡法》正式發(fā)布

臺(tái)灣8英寸氮化鎵功率廠商投資案通過(guò)

榮盛晶科技氮化鎵材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)

新鎵能半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目落戶(hù)無(wú)錫惠山

冠鼎半導(dǎo)體1.055億元新建氮化鎵項(xiàng)目

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競(jìng)購(gòu)者報(bào)價(jià)1.3億歐元

香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

香港將建設(shè)首條第三代半導(dǎo)體氮化鎵晶圓生產(chǎn)線目標(biāo)2027年產(chǎn)能1萬(wàn)片

清華大學(xué)功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制項(xiàng)目簽約湖南企業(yè)

廣東微納院半導(dǎo)體微納加工中試平臺(tái)通線，具有8英寸硅晶圓和氮化鎵晶圓加工能力

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

鼎龍股份：多晶硅拋光液及氮化硅拋光液產(chǎn)品獲千萬(wàn)元級(jí)批量訂單

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專(zhuān)利公布

北京大學(xué)申請(qǐng)金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專(zhuān)利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

CASICON晶體大會(huì)平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

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