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九峰山實(shí)驗(yàn)室新型SiC Trench MOSFET科研級(jí)器件樣品發(fā)布！

“90后”科研團(tuán)隊(duì)勇闖化合物半導(dǎo)體“無(wú)人區(qū)”，9個(gè)月啃下“硬骨頭”

我國(guó)科研人員“以柔克剛”填補(bǔ)微型LED晶圓無(wú)損測(cè)試技術(shù)空白

全國(guó)首單高校院所概念驗(yàn)證保險(xiǎn)落地光谷，專(zhuān)保科研成果轉(zhuǎn)化風(fēng)險(xiǎn)最高的“最初一公里”

中國(guó)化合物半導(dǎo)體科研平臺(tái)全景式匯聚，CSE吹響“集結(jié)號(hào)”！

深圳大學(xué)材料學(xué)院劉新科研究員當(dāng)選為英國(guó)皇家化學(xué)學(xué)會(huì)會(huì)士

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)孫濤：建設(shè)公共科研平臺(tái)，助力晶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

中韓科研人員在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅單晶、2024年度科研資金超百億元

江蘇省計(jì)量院一項(xiàng)助力半導(dǎo)體研發(fā)的科研項(xiàng)目獲批立項(xiàng)

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所誠(chéng)聘高層次科研人才

商務(wù)部：鼓勵(lì)外商投資企業(yè)及其設(shè)立的研發(fā)中心承擔(dān)重大科研攻關(guān)項(xiàng)目

教育部：針對(duì)集成電路等核心技術(shù)“卡脖子”問(wèn)題，集中力量開(kāi)展科研攻關(guān)

廈門(mén)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)重磅揭曉，12位科研人員獲重大貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、創(chuàng)新杰出人才獎(jiǎng)

機(jī)構(gòu)稱(chēng)中國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域科研論文數(shù)量持續(xù)保持全球第一

科技部等二十二部門(mén)聯(lián)合發(fā)布《科研失信行為調(diào)查處理規(guī)則》

廣東光大科研制造中心項(xiàng)目開(kāi)工，一期投資100億元

清華大學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重大科研項(xiàng)目落戶(hù)無(wú)錫

中國(guó)科研團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)硅基半導(dǎo)體自旋量子比特超快操控

辛丑年末|松山湖新生代科研平臺(tái)招募令

半導(dǎo)體所4項(xiàng)科研成果入選國(guó)家“十三五”科技創(chuàng)新成就展

浙江大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)提出大功率IGBT模塊溫度場(chǎng)評(píng)估的新方法

發(fā)改委等三部門(mén)：重點(diǎn)支持集成電路、量子科技等相關(guān)學(xué)科專(zhuān)業(yè)教學(xué)和科研設(shè)施建設(shè)

美國(guó)擬千億美元投入半導(dǎo)體等基礎(chǔ)科研增設(shè)白宮首席制造官

2億！湖南三安獲科研專(zhuān)項(xiàng)扶持金

2021年科技創(chuàng)新十五大關(guān)鍵詞

降損耗，高可靠！東南大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)氮化鎵項(xiàng)目再獲突破

東南大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)氮化鎵項(xiàng)目再獲突破

政策解讀｜科技部等九部門(mén)發(fā)文：試點(diǎn)單位科研人員可獲至少10年職務(wù)科技成果使用權(quán)

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