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廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會(huì)草案

材料深一度｜一篇帶你了解GaN HEMT最全產(chǎn)品情況

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法征求意見

投資949億韓元 Chemtronics將開始建設(shè)第8代OLED蝕刻工廠

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學(xué)孫佳慧：肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

北京大學(xué)申請(qǐng)高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進(jìn)展

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

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