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標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測量方法》等5項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

芯導(dǎo)科技：第三代半導(dǎo)體650VGaNHEMT產(chǎn)品預(yù)計今年可實現(xiàn)量產(chǎn)

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會草案

ROHM確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT的量產(chǎn)體制

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進(jìn)器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

中國科技大學(xué)Alsaman A. amgad：HEMT器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性

西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT

電子科技大學(xué)李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機(jī)理研究

IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性

【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-HEMT單片集成技術(shù)

【CASICON 2021】中國電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

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快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強(qiáng)型HEMT電力電子器件

中興通訊蔡小龍：針對5G基站中射頻氮化鎵HEMT的失效分析研究

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