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【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會(huì)日程出爐

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年試生產(chǎn)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設(shè)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)議

華潤(rùn)微：重慶12吋產(chǎn)線聚焦功率器件預(yù)計(jì)下半年可實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會(huì)議成功召開

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）項(xiàng)目樁基建設(shè)啟動(dòng) 總投資52.9億元

北一半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目在江蘇鹽城開工總投資10億元

總投資10億元，北一半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目在江蘇鹽城開工

海納股份高端功率器件用半導(dǎo)體級(jí)拋光片生產(chǎn)線項(xiàng)目結(jié)頂總投資22.14億元

海納股份高端功率器件用半導(dǎo)體級(jí)拋光片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式結(jié)頂

士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目今日開工

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風(fēng)潮

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

士蘭微電子擬合資建設(shè)月產(chǎn)6萬片8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線

士蘭微增資41.5億，建設(shè)8英寸SiC功率器件制造生產(chǎn)線

宜興中車時(shí)代中低壓功率器件項(xiàng)目首臺(tái)光刻機(jī)搬入

CSPSD 2024論壇1：聚焦硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用發(fā)展

CSPSD 2024成都前瞻|芯粵能半導(dǎo)體相奇:大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學(xué)王曦：光控型SiC功率器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半導(dǎo)體劉成：應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場(chǎng)的GaN功率器件制造技術(shù)

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