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CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

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CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？

CSPSD 2024成都前瞻|四川大學(xué)副教授黃銘敏：碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)

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希爾電子碳化硅功率器件已逐步量產(chǎn)，新項(xiàng)目廠房下半年將投用

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