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新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

總投資1.2億元，氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目簽約落地

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術(shù)

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進(jìn)展

世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底

山西綜改示范區(qū)陽曲工業(yè)園區(qū)海納半導(dǎo)體單晶廠房主體封頂

海納半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地項(xiàng)目（一期）單晶廠房主體全部封頂

中國科大制備出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦單晶LED

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展

硅片“新貴”上機(jī)數(shù)控一周內(nèi)狂攬195億單晶硅片長單

山東大學(xué)教授陳秀芳：大尺寸4H-SiC單晶擴(kuò)徑及襯底制備

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

國內(nèi)第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來

海納半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地項(xiàng)目預(yù)計6月份完工試運(yùn)行

有研硅成功開發(fā)8英寸區(qū)熔硅單晶

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購廢標(biāo)公告

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購競爭性磋商公告

第25000臺單晶爐下線！晶盛機(jī)電上演高端裝備制造“加速度”

中國電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

海納半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地項(xiàng)目完成60%

復(fù)旦大學(xué)單晶襯底生長系統(tǒng)采購公開招標(biāo)公告

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

技術(shù)轉(zhuǎn)化項(xiàng)目發(fā)布：英寸級單晶金剛石襯底及其關(guān)鍵設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化

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