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碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用技術(shù)進展

河北淶源經(jīng)濟開發(fā)區(qū)標(biāo)準(zhǔn)化科創(chuàng)園項目、年產(chǎn)10萬片碳化硅單晶襯底標(biāo)準(zhǔn)廠房項目一期全過程審計服務(wù)公開招標(biāo)公告

西安交大王宏興教授團隊在單晶金剛石襯底技術(shù)產(chǎn)業(yè)化上取得重大進展

馮志紅團隊在(001)單晶金剛石上制備了具有同質(zhì)外延層的金剛石FET

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述

合肥世紀(jì)金芯年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目投產(chǎn)！

山東大學(xué)與南砂晶圓團隊實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵HEMTs

雅吉芯半導(dǎo)體單晶材料擴能項目一期預(yù)計11月投產(chǎn) 總投資10億

蘇州納維總部大樓榮耀封頂！預(yù)計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點實驗室團隊發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

奧趨光電發(fā)布高性能、耐超高溫AlN單晶襯底基AlScN壓電材料新產(chǎn)品

山西海納年產(chǎn)750噸6英寸半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地開工總投資5.46億元

總投資5.46億元，山西海納半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地項目開工

中科院化學(xué)研究所發(fā)現(xiàn)碳家族單晶新材料

韓國8英寸SiC單晶爐實現(xiàn)國產(chǎn)化！

寬禁帶半導(dǎo)體GaN單晶襯底項目、Wi-Fi Halow芯片項目等重大項目落地蘇州高新區(qū)

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

奧特維科技控股子公司中標(biāo)約9000萬元單晶爐采購項目

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進展

盛美上海18腔300mm Ultra C VI單晶圓清洗設(shè)備投入量產(chǎn)

蘇州大學(xué)揭建勝教授團隊提出有機半導(dǎo)體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

云南鍺業(yè)：華為旗下哈勃投資參股的磷化銦單晶片建設(shè)項目投產(chǎn)

中科院化學(xué)所在印刷制備單一取向有機半導(dǎo)體單晶陣列方面取得進展

云南鍺業(yè)：以大直徑低位錯密度鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料制備及其應(yīng)用為重點研究方向

眾合科技：海納山西單晶基地如完全達產(chǎn)，預(yù)計產(chǎn)能是目前三倍

豐田合成成功量產(chǎn)6英寸氮化鎵單晶襯底

溫州宏豐發(fā)行3.21億元可轉(zhuǎn)債，用于碳化硅單晶研發(fā)項目等

10億元雅安半導(dǎo)體單晶材料擴能項目主體封頂，預(yù)計5月投產(chǎn)

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