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基本半導體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

甬江實驗室信息材料與微納器件制備平臺正式投用

昌龍智芯半導體功率器件項目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

功率半導體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

寧波材料所與鄭州大學實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利，降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風險

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達產(chǎn)

杭州芯邁半導體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項目首批設備正式進場

南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

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氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

上應大科研團隊在光探測材料與器件領(lǐng)域取得重要進展！

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光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開區(qū)) 項目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”進入公眾投票階段

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專家說丨化合物半導體器件的三大方向進展

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

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