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哈爾濱工業(yè)大學在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

眾專家學者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進展與趨勢 |IFWS&SSLCHINA2024

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

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北京大學沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

擬投資14億！佳麗美半導體電子分立器件制造總部項目簽約落戶丹灶

第十七屆誠邀提名 | “2024年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”重磅開啟！

國宇電子功率器件項目簽約揚州

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許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

湖南三安半導體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

北京量子院徐洪起團隊在半導體耦合多量子點器件研究中取得進展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

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芯導電子“一種靜電防護結(jié)構(gòu)及制備方法、半導體器件及制備方法”專利公布

聞泰科技半導體業(yè)務(wù)與KOSTAL就先進車規(guī)級寬禁帶器件達成戰(zhàn)略合作

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會日程出爐

南京南瑞半導體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進半導體申請半導體器件相關(guān)專利，使半導體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

飛锃半導體申請半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐 | IFWS2024 前瞻

一文解開遠山氮化鎵功率器件實現(xiàn)耐高壓的秘密

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