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性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產品

中電化合物8英寸SiC外延片首批產品交付

中電化合物完成客戶首批次8英寸SiC外延片產品交付

廈門大學張洪良和上海光機所齊紅基團隊在深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜研究取得進展

泰高技術與鎵宏半導體一同致力于氮化鎵外延片領域的全面戰(zhàn)略推進

蔚來增持晶湛半導體，或加碼氮化鎵外延技術應用上車

王新強、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導體單晶材料外延范式

納芯微：逆勢外延并購加碼汽車、泛能源類芯片戰(zhàn)略布局

上海合晶IPO通過科創(chuàng)板上市委會議為半導體硅外延片一體化制造商

廈門大學教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結構研究

中鎵半導體劉強：面向氮化鎵同質外延功率/光電器件應用的氮化鎵單晶襯底制備技術研發(fā)進展

晶盛機電：公司成功研發(fā)出具有國際先進水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設備

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學教授寧靜：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

瀚天天成宣布開始量產 8 英寸SiC外延晶片，已簽訂1.92億美元長單

中國電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設備

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導體大失配外延研究上取得突破性進展

中科院半導體所在硅基外延量子點激光器研究取得進展

半導體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

北京大學許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質量的III族氮化物異質外延膜

盛鑫半導體：大尺寸硅外延材料產業(yè)化項目實現(xiàn)首批設備入場

晶盛機電：碳化硅外延設備出貨量位居國內前列

簡述GaN 外延生長方法及生長模式

中微公司副總經理杜志游：深耕外延并舉打造業(yè)內國際一流

Transphorm與美國國家安全技術加速機構簽訂協(xié)議用于開發(fā)GaN外延片

晶盛機電：碳化硅外延設備出貨量已做到國內前列

廈門大學教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結構研究

【CASICON 2023】中國電科第十三研究所蘆偉立：電力電子領域寬禁帶半導體外延技術進展

【CASICON 2023】爍科晶磊半導體陳峰武：分子束外延設備國產化進展及展望

【CASICON 2023】海乾半導體董事長孔令沂：碳化硅外延核心技術的產業(yè)化應用

半導體所在氮化物材料外延研究中取得新進展

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