亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術

CASA正式發(fā)布《8英寸碳化硅襯底片基準標記及尺寸》等3項團體標準

盛鑫半導體：大尺寸硅外延材料產業(yè)化項目實現(xiàn)首批設備入場

【CASICON 2023】特思迪半導體孫占帥：先進拋光技術助力量產型大尺寸碳化硅制造

中科潞安閆建昌：高性能、大尺寸是深紫外LED產業(yè)技術發(fā)展趨勢

標準/山東大學牽頭起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》等3項團體標準征求意見

山東大學教授陳秀芳：大尺寸4H-SiC單晶擴徑及襯底制備

OPT（奧普特）2D尺寸測量傳感系統(tǒng)上市

華清電子材料實現(xiàn)了超大尺寸高導熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破

南京大學余林蔚教授課題組實現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細晶硅納米線可靠生長集成

中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所團隊首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸相變存儲單元器件

CASA立項《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》團體標準

浙江麗水中欣晶圓項目獲11億元融資，推動大尺寸半導體硅片國產化

揚杰科技收購楚微半導體40%股權，目的在于完善大尺寸新品產能

中科院蘇州納米所趙志剛團隊Analytical Chemistry：量子點尺寸調控實現(xiàn)半導體SERS基底性能提升和無機小分子檢測

南京盛鑫大尺寸硅外延材料產業(yè)化項目開工，一期投資13.6億元

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

清華大學集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破

最新透露 | 天岳先進：公司具備設計不同尺寸碳化硅單晶生長爐能力

天岳先進：公司具備設計不同尺寸碳化硅單晶生長爐能力

天通股份：擬募資不超25億元，發(fā)展大尺寸射頻壓電晶圓項目等

上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備大尺寸/復雜形狀高純氧化鋁部件方面取得新進展

東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實現(xiàn)尺寸更小效率更高的工業(yè)設備

北京大學物理學院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質PVT生長研究

奧趨光電王琦琨博士：PVT法生長高質量大尺寸AlN單晶的最新進展與挑戰(zhàn)

韓國Wavice Inc首席技術官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

眾合科技：子公司擬5.20億元投建國產半導體級中大尺寸單晶基地項目

眾合科技控股子公司海納半導體擬投建中大尺寸單晶硅生產基地

國內首臺關鍵尺寸量測設備出機中芯國際

第2頁/共3頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部