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標準/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項

上海積塔半導體取得半導體結(jié)構(gòu)專利，提升開關(guān)驅(qū)動效率

CSPSD 2025前瞻|廣東工業(yè)大學周賢達：功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

杭州芯邁半導體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

無錫博通申請半橋GaN增強型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

中國科大微電子學院在GaN HEMT開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進展

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

CASA立項GaN HEMT非鉗位感性負載開關(guān)魯棒性測試方法1項團體標準

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導體器件

中國西電獲得發(fā)明專利授權(quán)：“基于大容量電力電子開關(guān)施加故障電流裝置及試驗方法”

聞泰科技、重慶大學聯(lián)合提案的SiC MOSFET開關(guān)動態(tài)測試標準提案立項

簡述通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度

問卷 | SiC MOSFET開關(guān)測試標準預研問卷

標準 | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試方法》形成委員會草案

Wolfspeed：先進碳化硅技術(shù)賦能離線式開關(guān)電源的優(yōu)勢

意法半導體雙通道高邊開關(guān)為容性負載驅(qū)動設(shè)計帶來更多靈活性

R&S聯(lián)合FormFactor為得克薩斯大學奧斯汀分校研究5G和6G改進型射頻開關(guān)提供支持

【CASICON 2021】西安交通大學李強：大面積hBN薄膜制備及電阻開關(guān)特性研究

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

CASICON 2021前瞻：南京大學陳敦軍教授將出席南京功率與射頻半導體應(yīng)用峰會

南京集芯光電雷建明：氮化鎵功率開關(guān)器件及其在超輕薄開關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用研究

碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計？

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗

新聞發(fā)布 | 超低導通阻抗USB C受電接口保護開關(guān)，可提供140W的高功率

如何放緩開關(guān)期間的dV/dt

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