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華南理工大學(xué)李國(guó)強(qiáng)教授：可見(jiàn)光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

丹麥技術(shù)大學(xué)副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺(tái)

北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長(zhǎng)研究

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

廈門大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授：寬禁帶半導(dǎo)體全面支撐光電子技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展

日本德島大學(xué)教授敖金平：轉(zhuǎn)換效率超過(guò)91%的基于GaN肖特基勢(shì)壘二極管的微波整流器

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動(dòng)器

美國(guó)康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對(duì)抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進(jìn)展

美國(guó)電力首席執(zhí)行官Victor VELIADIS教授：碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙

西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

大連理工大學(xué)王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù)

美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)Anant AGARWAL 教授：碳化硅芯片會(huì)在 2025-2030 年被電動(dòng)汽車廣泛采用的可能性探討

中國(guó)工程院院士周濟(jì)教授將出席IFWS&SSLCHINA2021

祝賀！清華大學(xué)電子工程系羅毅教授當(dāng)選為中國(guó)工程院院士

中科院院士江風(fēng)益教授將出席IFWS&SSLCHINA2021

中科大在日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

瑞典皇家理工學(xué)院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling將出席IFWS & SSLCHINA 2021并做大會(huì)報(bào)告

南方科技大學(xué)孫小衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)噴墨打印制備出業(yè)界壽命最長(zhǎng)的量子點(diǎn)發(fā)光二極管

山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授將出席第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議并分享重要報(bào)告

北京大學(xué)沈波教授將出席第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議并分享重要報(bào)告

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應(yīng)用

西交利物浦大學(xué)副教授劉雯將出席2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)

南京郵電大學(xué)副校長(zhǎng)郭宇鋒教授將出席2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)

西安交通大學(xué)電子學(xué)院院長(zhǎng)助理李強(qiáng)副教授將受邀出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)陳敦軍教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

電子科技大學(xué)教授鄧小川將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會(huì) 分享極端應(yīng)力下SiC MOSFET器件動(dòng)態(tài)可靠性研究進(jìn)展

確認(rèn)！美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子研究中心助理教授張宇昊將分享三大主題報(bào)告，期待9月13-14日南京功率與射頻半導(dǎo)體峰會(huì)見(jiàn)！

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