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國際領(lǐng)先水平！突破SiC晶體長厚的關(guān)鍵材料

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

GAA 晶體管繼任者？復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)公布CFET新進(jìn)展！

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范

晶盛機(jī)電已成功生長出8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)6英寸碳化硅晶體研發(fā)實(shí)驗(yàn)線

晶盛機(jī)電：已成功生長出8英寸碳化硅晶體

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院（微電子學(xué)院）晶圓級二維原子晶體材料MOCVD生長系統(tǒng)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

晶盛機(jī)電：已成功長出8英寸碳化硅晶體，6英寸產(chǎn)品已通過部分客戶驗(yàn)證

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會(huì)草案

晶盛機(jī)電已成功生長出8英寸碳化硅晶體

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

聞泰科技：安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品主要包括Mosfet、邏輯與晶體管等

爍科晶體：奔跑在碳化硅半導(dǎo)體材料創(chuàng)新前沿

晶盛機(jī)電已成功生長出8英寸碳化硅晶體，將提升在第三代半導(dǎo)體材料端的競爭力

新型二維原子晶體材料Si?C??的構(gòu)筑

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

科友半導(dǎo)體應(yīng)用電阻長晶爐突破高速率高品質(zhì)SiC晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先！科友半導(dǎo)體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

恒普科技量產(chǎn)推出新一代2.0版SiC電阻晶體生長爐

重磅！3.5億個(gè)晶體管，國內(nèi)集成電路領(lǐng)域再突破

二維半導(dǎo)體環(huán)柵晶體管和垂直互補(bǔ)晶體管的陣列驗(yàn)證

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

重磅發(fā)布 | 新一代SiC晶體生長爐，突破行業(yè)核心需求

應(yīng)用材料推出CVD升級技術(shù) 以支持GAA晶體管結(jié)構(gòu)

天津大學(xué)李立強(qiáng)教授課題組：有機(jī)晶體管新進(jìn)展—實(shí)現(xiàn)五年長壽命

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