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擬上科創(chuàng)板！砷化鎵襯底廠商通美晶體已進(jìn)行上市輔導(dǎo)

第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)同光晶體完成D輪融資

尺寸小于1納米，中科院物理所單分子晶體管器件新突破

半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展：天達(dá)晶陽、同光晶體、卓勝微、漢天下、鑫佳元半導(dǎo)體、北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心、力積電等最新動(dòng)態(tài)

CFET結(jié)構(gòu)晶體管有助于2nm以下制程的新一代半導(dǎo)體技術(shù)

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅單晶襯底制造企業(yè)同光晶體完成C+輪融資

臺(tái)積電：3nm進(jìn)度超前，2nm將轉(zhuǎn)向GAA晶體管

同光晶體完成C輪融資，CPE領(lǐng)投助其新一輪產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃

意法半導(dǎo)體推出了新系列雙非對(duì)稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品

半導(dǎo)體材料碳化硅襯底研發(fā)生產(chǎn)商同光晶體完成B輪融資

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)?span id="uvfcnoj" class="highlight">晶體管電學(xué)特性的影響研究

山東大學(xué)張雷：溫度梯度對(duì)PVT法生長AlN晶體的影響

同光晶體董事長鄭清超：月產(chǎn)碳化硅單晶襯底3000片，全年預(yù)計(jì)銷售突破2億元

臺(tái)積電和Graphcore準(zhǔn)備合作研發(fā)3nm AI加速芯片

格芯贏得AI芯片業(yè)務(wù)

Transphorm的第二款900 V GaN FET現(xiàn)已投入生產(chǎn)

世界最大AI處理器升級(jí)7nm工藝：85萬核心、2.6萬億晶體管

GaN器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

英國Graphcore推出比英偉達(dá)更復(fù)雜的新款A(yù)I處理器

總投資7億元！碳化硅晶體和襯底片基地項(xiàng)目落戶滁州市南譙區(qū)

超高壓晶體管問世旨在提高電動(dòng)車的續(xù)航能力和效率

比官方宣傳還猛！臺(tái)積電5nm晶體管密度比7nm提高88％

同光晶體10萬片直徑4-6英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目落地河北淶源縣

「聚焦」碳化硅：帶動(dòng)山西半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展

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