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標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試方法》立項(xiàng)

效率損耗雙領(lǐng)跑！大族半導(dǎo)體SiC晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm！

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

廣州華瑞升陽(yáng)申請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體器件專(zhuān)利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

捷捷微電取得降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專(zhuān)利，降低了開(kāi)關(guān)損耗

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專(zhuān)利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

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CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

華為公司申請(qǐng)半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

通用電氣申請(qǐng)超結(jié)功率半導(dǎo)體裝置專(zhuān)利，減少切換損耗

嘉善復(fù)旦研究院與復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在低傳導(dǎo)損耗功率器件方面取得重大進(jìn)展

【國(guó)際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)?span id="dlrnuvi" class="highlight">損耗氧化鎵縱向FinFET

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東芝、電裝等力爭(zhēng)2030年前實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體電力損耗減半

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日本東芝開(kāi)發(fā)的功率半導(dǎo)體，最大可降低40.5%的功率損耗

降損耗，高可靠！東南大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)氮化鎵項(xiàng)目再獲突破

如何減少SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗

技術(shù) | 20 VIN、8 A高效率微型封裝降壓型μModule器件

減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

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GaN器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

GaN 將能源效率推升至新高度

東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機(jī)功率損耗

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