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標(biāo)準(zhǔn) | AlN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù)2項(xiàng)測(cè)試方法形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”征求意見(jiàn)

納微為AI數(shù)據(jù)中心電源打造效率新標(biāo)桿超越80 PLUS紅寶石標(biāo)準(zhǔn)

助力科技中國(guó)戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)正式實(shí)施

CASA與CSA共同立項(xiàng)《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗(yàn)方法》等2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)

全國(guó)人大代表馮興亞：推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展逐步統(tǒng)一換電標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

長(zhǎng)飛先進(jìn)順利通過(guò)汽車電子行業(yè)兩大核心標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

中車電驅(qū)獲ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)、ASIL D雙重認(rèn)證

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會(huì)召開(kāi)

順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）主體結(jié)構(gòu)順利封頂

專家學(xué)者齊聚探究第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)的進(jìn)展與趨勢(shì) | IFWS&SSLCHINA2024

CASA立項(xiàng)“半導(dǎo)體材料紫外光電子能譜測(cè)試方法”等2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)“氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法腐蝕坑密度測(cè)量法”等2項(xiàng)氮化鋁團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項(xiàng) SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

【IFWS2024】第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)日程出爐

標(biāo)準(zhǔn) | 碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨等2項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

浪潮華光參與制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試透射電子顯微鏡法》正式發(fā)布

博世與Tenstorrent合作開(kāi)發(fā)標(biāo)準(zhǔn)化汽車芯片

順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）建設(shè)進(jìn)度過(guò)半

國(guó)家工信部批準(zhǔn)！這項(xiàng)量子通信領(lǐng)域行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)由光谷企業(yè)牽頭制定

工信部公布三項(xiàng)智能網(wǎng)聯(lián)汽車強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

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CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)魯棒性測(cè)試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

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