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第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項目（二期）成功通過竣工驗收

我國牽頭制定的首個納米金剛石國際標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn) | 長春光機所牽頭起草的3項面向光治療的柔性LED光源測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

填補新技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)空白 12項新能源汽車團體標(biāo)準(zhǔn)解讀

兩項碳化硅標(biāo)準(zhǔn)，立項！

標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評估測試方法》立項

標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項

CSA半導(dǎo)體激光器專委會啟動半導(dǎo)體激光器團體標(biāo)準(zhǔn)制定與GaN激光器產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書編制工作

標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯密度/吸收系數(shù) 2項測試方法發(fā)布

順義第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項目（二期）預(yù)計7月底完工

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

意見征集 | 中科院長光所牽頭的3項面向光治療的柔性LED光源標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

工信部：加快自動駕駛系統(tǒng)安全要求強制性國家標(biāo)準(zhǔn)研制

標(biāo)準(zhǔn) |中科院長光所牽頭的3項面向光治療的柔性LED光源標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

重磅發(fā)布 | 2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗方法立項

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法立項

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀

電科芯片牽頭制定的集成電路領(lǐng)域國家標(biāo)準(zhǔn)正式實施

2025JFSC平行論壇11丨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品評測與標(biāo)準(zhǔn)研制，精彩議題搶先看

工業(yè)和信息化部：今年將制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1800項以上

工信部：推進5G-A、6G、量子保密通信等標(biāo)準(zhǔn)研究

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