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廈大研究團隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

聞泰科技：已布局第三代化合物半導體暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

聞泰科技：已布局第三代化合物半導體，暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

國內(nèi)首批！銘鎵半導體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

敏源傳感的氮氧化物調(diào)理芯片MY9706通過車規(guī)級HTOL認證

國內(nèi)第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導體呼嘯而來

招聘：中科院寧波材料所氧化物半導體方向誠聘副研究員和博士后

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管

北京大學在氧化物半導體器件方向取得系列重要進展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應用

中國科大在氧化鎵半導體器件領(lǐng)域取得重要進展

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

新型超寬禁帶半導體材料廠商銘鎵半導體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

寬禁帶氧化鎵半導體在壓電與射頻器件中的應用

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

山東大學成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

一文讀懂氧化鎵半導體

郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應

日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

A 輪融資近億元！銘鎵半導體將建國內(nèi)首條氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線

復旦大學盧紅亮課題組在柔性氧化鎵光電探測器方面取得重要研究進展實現(xiàn)超靈敏的深紫外光探測率

西安交大在氧化物薄膜外延領(lǐng)域取得重要進展

一文了解第四代半導體材料氧化鎵(Ga2O3)

中國科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進展

華中科技大學黃亮課題組提出膨化制備超薄氧化物新策略

中國研發(fā)再突破！15億美元的氧化鎵市場如何引發(fā)多國博弈？

第四代半導體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

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