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國際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

未來10年左右，氧化鎵器件或成為有競爭力的電力電子器件

日本團隊合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片

氧化鎵功率半導體6英寸新突破，成本有望大降

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

西電周弘教授：超寬禁帶半導體材料氧化鎵器件最新研究進展

上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備大尺寸/復雜形狀高純氧化鋁部件方面取得新進展

國際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國際首次超越SiC理論極限

Novel Crystal Technology宣布開發(fā)出世界第一款安培級1200 V耐壓的“氧化鎵肖特基勢壘二極管”

美國康奈爾大學教授Huili Grace XING：對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

大連理工大學王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù)

中科大在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進展

鄭州大學物理學院在氧化鎵基日盲光電探測方面取得進展

下一代半導體：越走越“寬”，還是越“窄”？

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】中國科學技術(shù)大學龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件

CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化鎵半導體功率電子器件

CASICON 2021前瞻：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

浙大杭州科創(chuàng)中心獲得首批氧化鎵單晶襯底

洪泰基金領(lǐng)投 “氧化鎵”材料產(chǎn)業(yè)化先行者銘鎵半導體完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資

寧波新材料五年發(fā)展規(guī)劃出爐，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等第三代半導體材料被提及

日本Novel Crystal宣布量產(chǎn)4英寸氧化鎵(Ga2O3) 晶圓

全球首次日本芯片迎來重大突破，成功量產(chǎn)氧化鉀100mm晶圓

第四代半導體氧化鎵的機遇和挑戰(zhàn)

湖北大學何云斌:高性能基于氧化鎵的日盲光電探測器的開發(fā)

上海光學精密機械研究所夏長泰:極寬禁帶半導體氧化鎵單晶摻質(zhì)之實踐與思考

日本國立佐賀大學郭其新：超寬帶隙氧化鎵的低溫生長和表征

西工大研制出續(xù)航時間提升7倍的二氧化碳電池

超高壓晶體管問世旨在提高電動車的續(xù)航能力和效率

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