近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，德國愛思強股份有限公司協(xié)辦的“超寬禁帶半導體技術”分會上，日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新分享了超寬帶隙氧化鎵的低溫生長和表征的研究成果。

超寬禁帶半導體（AlGa）₂O₃具有4.9（Ga₂O₃）到8.7ev（Al₂O₃）的可調帶隙，是一種很有前途的光電材料。（AlGa）₂O₃基固態(tài)器件幾乎是基于薄膜生長所產生的材料結構。因此，生長技術被認為是制備（AlGa）₂O₃基器件的關鍵之一。人們已經探索了各種各樣的生長技術來沉積（AlGa）₂O₃薄膜，包括濺射、分子束外延、霧化學氣相沉積、金屬有機化學氣相沉積和脈沖激光沉積（PLD）。在這些沉積方法中，PLD是一種很好的低溫生長候選技術，由于PLD生長的動能相對較低，所以在PLD工藝中產生的動能相對較高。另一方面，氧等離子體是降低薄膜生長溫度的有效輔助物質。因此，PLD與氧等離子體輔助相結合是一種非常有效的低溫薄膜生長方法。報告分享了氧等離子體輔助PLD低溫生長（AlGa）₂O₃薄膜。系統(tǒng)研究了襯底溫度對薄膜結構和光學性能的影響。此外，還介紹了這些超寬氧化物半導體生長的最新進展。

郭其新博士現(xiàn)任日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任，電氣電子系教授，博士生導師。分別于1990，1992和1996年在日本國立豐橋技術科學大學電氣電子系獲得學士，碩士和博士學位。主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。已在Nature Communications, Physical Review B, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters和Advanced Materials等期刊上發(fā)表SCI論文330余篇，H因子為44（Google Scholar）。
 

（內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）