在全球能源轉(zhuǎn)型與 “雙碳” 目標(biāo)的共同驅(qū)動(dòng)下，微型逆變器市場(chǎng)正以年均超25%的增速成為清潔能源領(lǐng)域的核心力量。作為對(duì)傳統(tǒng)光伏逆變器“去中心化”的全面革新——從 “一串組件共用一個(gè)逆變器” 升級(jí)為 “一塊組件配一個(gè)微逆”，完美貼合當(dāng)下分布式光伏的普及需求。在單級(jí)變換架構(gòu)的新范式加持下，“少即是多”的設(shè)計(jì)將為微逆設(shè)計(jì)帶來(lái)煥新升級(jí)。 

作為打造單級(jí)架構(gòu)的關(guān)鍵，納微半導(dǎo)體最新力作——雙向GaNFast™氮化鎵功率芯片（BDS），憑借著雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通能力，成功將傳統(tǒng)兩級(jí)架構(gòu)整合成了單級(jí)高頻架構(gòu)?；趯?duì)光伏行業(yè)的深刻理解，以及與合作伙伴兆易創(chuàng)新的GD32 MCU強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，成功推出了領(lǐng)先的高性能500W單級(jí)微逆方案。  

單級(jí)微逆究竟好在哪里？ 

相較于傳統(tǒng)兩級(jí)架構(gòu)微逆，單級(jí)架構(gòu)擁有著前者無(wú)法比擬的四大優(yōu)勢(shì)： 

效率更高：兩級(jí)架構(gòu)的微逆先要從DC-DC再逆變至AC，而單級(jí)架構(gòu)可以直接將DC變換成AC，中間環(huán)節(jié)的減少，意味著能量損耗得以降低，換言之便是效率的提升，換算到用戶上就是額外的發(fā)電量； 

成本更低：?jiǎn)渭?jí)架構(gòu)徹底消除了電容與輸入電感，能夠大幅降低BOM成本；同時(shí)，簡(jiǎn)化的電路設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝，能夠讓微逆的最終售價(jià)更具有競(jìng)爭(zhēng)力，便于向戶用市場(chǎng)的大眾滲透； 

可靠性更強(qiáng)：元件的減少等同于故障的減少，尤其是對(duì)于微逆這種長(zhǎng)期在戶外面臨高溫、潮濕等嚴(yán)苛復(fù)雜的環(huán)境下，更少的元件和更精簡(jiǎn)的架構(gòu)，有助于MTBF的顯著提升，有效減少后期的維護(hù)成本； 

體積更小更靈活：?jiǎn)渭?jí)架構(gòu)另一大優(yōu)勢(shì)就是使得微逆更加輕薄，能夠在有限的屋頂、陽(yáng)臺(tái)等戶外場(chǎng)景，方便安裝作業(yè)。 

總而言之，單級(jí)架構(gòu)為微逆做了“手術(shù)刀”般的精準(zhǔn)減法——減去了冗余的變換環(huán)節(jié)，留下了核心的逆變功能，剛好匹配微逆 “單組件、小容量、分布式” 的場(chǎng)景需求。 

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，打造超高效率微逆方案 

納微半導(dǎo)體聯(lián)合兆易創(chuàng)新推出的500W單級(jí)微逆方案，采用基于兆易創(chuàng)新GD32 G5系列MCU與納微半導(dǎo)體雙向GaNFast氮化鎵功率芯片的單級(jí)一拖一架構(gòu)，二者的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合集中體現(xiàn)了該技術(shù)方向的核心優(yōu)勢(shì)。該方案有著高效率、高質(zhì)量并網(wǎng)以及高集成度的特點(diǎn)：在100kHz開(kāi)關(guān)頻率下，實(shí)現(xiàn)了97.5%的峰值效率和97%的CEC加權(quán)效率，MPPT效率為99.9%；500W條件下，THD為3.2%，PF為0.999。

首先，在高效率與低損耗方面。所有開(kāi)關(guān)管均可實(shí)現(xiàn)ZVS（零電壓開(kāi)通），顯著降低開(kāi)關(guān)損耗；通過(guò)優(yōu)化的混合調(diào)制策略，拓寬了軟開(kāi)關(guān)范圍；降低回流功率和變壓器電流有效值，減少了導(dǎo)通損耗；納微的雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)憑借極高的效率減少開(kāi)關(guān)損耗。 

其次，在高質(zhì)量并網(wǎng)方面。該方案的前饋控制能夠提高功率響應(yīng)速度，加強(qiáng)對(duì)電網(wǎng)電壓的跟蹤效果；閉環(huán)Q-PR控制可無(wú)靜差跟蹤交流信號(hào)，提高并網(wǎng)電流質(zhì)量。同時(shí)，通過(guò)原邊副邊移相控制量之間的協(xié)同調(diào)整，實(shí)現(xiàn)模式間無(wú)擾切換，從而平滑變壓器電流及并網(wǎng)電流。 

最后，在高集成度與成本優(yōu)化方面。首先，該方案采用了單個(gè)集成電感的變壓器的磁集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了磁性元件體積的縮小，同時(shí)納微的雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)滿足對(duì)交流側(cè)雙向開(kāi)關(guān)的需求，進(jìn)一步縮小了尺寸，有效降低方案的整體BOM成本。 

雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)——解鎖單級(jí)架構(gòu)的“秘鑰” 

以尖端的單芯片設(shè)計(jì)（單片集成），通過(guò)合并漏極結(jié)構(gòu)、雙柵極控制及集成受專(zhuān)利保護(hù)的有源基板鉗位技術(shù)，納微半導(dǎo)體得以推出世界上首款650V雙向GaNFast™氮化鎵功率芯片，其功能上等效于兩顆“背靠背”連接的氮化鎵功率開(kāi)關(guān)。 

1顆高速、高效的雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)可替代最多4顆傳統(tǒng)硅基芯片，提高系統(tǒng)性能的同時(shí)減少外部元件的數(shù)量、PCB占位面積和系統(tǒng)成本。

這意味著： 

更高的系統(tǒng)效率

MHz級(jí)的轉(zhuǎn)換頻率

可靠性提升

簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)

減少無(wú)源器件成本

減少PCB面積

通過(guò)將交流輸入電壓直接轉(zhuǎn)換為校正和受控的交流或直流輸出電壓，雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)得以推動(dòng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)升級(jí)，消除傳統(tǒng)的PFC級(jí)，刪繁就簡(jiǎn)打造單級(jí)架構(gòu)，給未來(lái)電力電子的躍遷提供了全新的方向。

（來(lái)源：納微芯球）