2025年8月10日-13日，我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的行業(yè)盛會(huì)——第六屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議將在大連舉辦。大會(huì)由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)委員會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)共同主辦，大連理工大學(xué)、東北師范大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。

本屆大會(huì)設(shè)置開(kāi)閉幕大會(huì)，材料生長(zhǎng)、材料物性與輻照測(cè)試、光電子器件及其應(yīng)用、電子器件及其應(yīng)用、新型寬禁帶材料與器件5個(gè)平行分會(huì)，來(lái)自國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專(zhuān)家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表等，將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。這次會(huì)議必將對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。

屆時(shí)，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）將攜最新產(chǎn)品方案亮相本次學(xué)術(shù)盛會(huì)（展位號(hào)：A05）。并且，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）首席科學(xué)家梁劍波將分享《2英寸多晶金剛石與GaN常溫直接鍵合及其在熱管理中的應(yīng)用》的主題報(bào)告，誠(chéng)摯邀請(qǐng)行業(yè)專(zhuān)家學(xué)者、業(yè)界同仁蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，進(jìn)行深入的交流與探討，共同探索未來(lái)進(jìn)一步合作的可能性。

嘉賓簡(jiǎn)介

梁劍波，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）首席科學(xué)家、大阪公立大學(xué)教授及博士生導(dǎo)師，長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料異質(zhì)集成、高導(dǎo)熱界面及高性能器件研究，聚焦GaN、SiC、金剛石等寬禁帶材料的低熱阻集成與封裝技術(shù)。在《Advanced Materials》《Nature Communications》《Small》等國(guó)際期刊發(fā)表論文150余篇，擁有中日美發(fā)明專(zhuān)利12項(xiàng)。曾獲南部陽(yáng)一郎優(yōu)秀研究獎(jiǎng)、國(guó)際會(huì)議最佳論文獎(jiǎng)及期刊優(yōu)秀審稿人獎(jiǎng)，具備豐富的產(chǎn)學(xué)研協(xié)同與技術(shù)轉(zhuǎn)化經(jīng)驗(yàn)。 

報(bào)告題目：2英寸多晶金剛石與GaN常溫直接鍵合及其在熱管理中的應(yīng)用

摘要：本研究針對(duì)高功率電子器件熱管理中的核心瓶頸，提出了一種基于多晶金剛石（PCD）與GaN通過(guò)3C-SiC實(shí)現(xiàn)常溫直接鍵合的新型異質(zhì)集成方案。盡管PCD具備極高熱導(dǎo)率，其較大的表面粗糙度仍限制了其在高性能器件中的應(yīng)用。實(shí)驗(yàn)中，采用表面粗糙度約為2.48 nm的2英寸PCD晶圓與3C-SiC在室溫下成功實(shí)現(xiàn)直接鍵合（如圖1所示），界面形成約7 nm的無(wú)定形中間層。經(jīng)1100°C熱處理，該中間層轉(zhuǎn)化為約13 nm的多晶SiC，界面未出現(xiàn)裂紋或分層，顯示出良好的熱穩(wěn)定性與機(jī)械完整性。 

熱性能分析表明，盡管PCD的生長(zhǎng)面熱導(dǎo)率高于單晶金剛石（SCD），但因其較小晶粒導(dǎo)致聲子散射增強(qiáng)，PCD基GaN HEMT器件的熱阻相比SCD基器件仍高約27%。進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，去除PCD中的細(xì)晶核化層可顯著降低界面熱阻，提升整體散熱能力。本研究首次實(shí)現(xiàn)了PCD與3C-SiC的高質(zhì)量集成，為構(gòu)建高熱流密度條件下的低熱阻GaN器件提供了新的襯底解決方案。通過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化PCD晶粒結(jié)構(gòu)和界面工程，有望全面發(fā)揮其熱學(xué)優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)下一代高功率電子器件的可靠性和性能跨越式提升。

圖1. 多晶金剛石晶圓上制備的GaN HEMT器件

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州） 

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）【以下簡(jiǎn)稱(chēng)國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）】圍繞落實(shí)國(guó)家科技創(chuàng)新重大任務(wù)部署，打造國(guó)家戰(zhàn)略科技力量，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向，促進(jìn)各類(lèi)相關(guān)創(chuàng)新主體和創(chuàng)新要素有效協(xié)同、形成合力，集聚全國(guó)優(yōu)勢(shì)力量為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供創(chuàng)新源頭技術(shù)供給，重點(diǎn)突破材料、器件、工藝和裝備技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)在電力電子、微波射頻和光電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，輸出高質(zhì)量科技創(chuàng)新成果，輻射帶動(dòng)形成一批具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的創(chuàng)新企業(yè)，貫通創(chuàng)新鏈、技術(shù)鏈、人才鏈和產(chǎn)業(yè)鏈，培育發(fā)展新動(dòng)能，加快我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）于2021年3月獲科技部批復(fù)支持建設(shè)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院為國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）的建設(shè)主體單位。 

 國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）聘請(qǐng)郝躍院士擔(dān)任中心主任，核心研發(fā)和運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)近300人；獲批建設(shè)國(guó)家級(jí)博士后科研工作站、江蘇省創(chuàng)新聯(lián)合體、江蘇省人才攻關(guān)聯(lián)合體；圍繞國(guó)創(chuàng)中心建設(shè)使命，聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)，通過(guò)協(xié)同共建，建設(shè)具有國(guó)際先進(jìn)水平、開(kāi)放共享的公共研發(fā)支撐平臺(tái)，覆蓋材料、工藝、器件、封裝、模塊、測(cè)試分析全產(chǎn)業(yè)鏈，逐步形成系統(tǒng)級(jí)全產(chǎn)業(yè)鏈支撐服務(wù)能力，為產(chǎn)業(yè)提供“全站式”創(chuàng)新服務(wù)，已累計(jì)合作服務(wù)全國(guó)200多家機(jī)構(gòu)和企業(yè)。以市場(chǎng)化機(jī)制協(xié)同優(yōu)勢(shì)創(chuàng)新資源聯(lián)合攻關(guān)，面向關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域全國(guó)范圍內(nèi)合作共建37家聯(lián)合研發(fā)中心、協(xié)同創(chuàng)新中心，在大尺寸氮化鎵材料、全彩 Micro-LED、同質(zhì)外延技術(shù)、可見(jiàn)光通訊（VLC）等關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破，累計(jì)布局核心專(zhuān)利近400項(xiàng)，引進(jìn)孵化創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)超過(guò)50個(gè)，加速創(chuàng)新資源快速集聚，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量創(chuàng)新發(fā)展。 

材料生長(zhǎng)創(chuàng)新平臺(tái)：

為GaN、AlN單晶同質(zhì)襯底、大尺寸異質(zhì)襯底的材料和器件的外延生長(zhǎng)提供定制化服務(wù)。圍繞“關(guān)鍵共性技術(shù)開(kāi)發(fā)、高質(zhì)量材料生長(zhǎng)、外延結(jié)構(gòu)的定制化和專(zhuān)用裝備開(kāi)發(fā)開(kāi)展建設(shè)”四大核心任務(wù)打造國(guó)際一流專(zhuān)業(yè)化、綜合型公共研發(fā)平臺(tái)，為各高校、企事業(yè)單位提供定制化材料研發(fā)服務(wù)。平臺(tái)已初步建成氮化物材料研發(fā)和中試線(xiàn)，突破了超寬帶通信、高亮度、RGB寬色域micro-LED的外延生長(zhǎng)和極低雜質(zhì)界面的二次外延技術(shù)，多項(xiàng)指標(biāo)步入國(guó)際先進(jìn)行列。 

器件工藝平臺(tái)

借鑒imec成果經(jīng)驗(yàn)，匯聚優(yōu)勢(shì)資源，共建光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入、晶圓鍵合及加工等第三代半導(dǎo)體器件關(guān)鍵共性技術(shù)公共驗(yàn)證工藝線(xiàn)，以UV-LED、Micro-LED、HEMT和MOSFET等寬禁帶半導(dǎo)體芯片核心工藝技術(shù)為基礎(chǔ)，以光機(jī)電集成、異質(zhì)混合集成為特色，建成國(guó)內(nèi)首個(gè)第三代半導(dǎo)體開(kāi)放共享的公共驗(yàn)證平臺(tái)，支撐光電子工藝、微電子工藝、光機(jī)電集成工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)和裝備技術(shù)開(kāi)發(fā)驗(yàn)證。 

測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)平臺(tái)

圍繞氮化鎵LDs、Micro-LED、DUV-LED、電力電子和射頻電子器件的關(guān)鍵核心參數(shù)表征需求，開(kāi)發(fā)測(cè)試新方法新技術(shù)、研制專(zhuān)用裝備、制定國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)服務(wù)體系。平臺(tái)自主開(kāi)發(fā)了包括顯微缺陷、微納結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)成分、光電特性、可靠性和失效分析的系統(tǒng)性一站式解決方案。并成功研制2臺(tái)套Micro-LED光空間分布多功能測(cè)試系統(tǒng)，創(chuàng)新單晶材料體內(nèi)缺陷的X射線(xiàn)貌相術(shù)無(wú)損表征的系列方案。同時(shí)也建成了涵蓋15種材料的半導(dǎo)體SIMS標(biāo)準(zhǔn)樣品庫(kù)，標(biāo)樣總數(shù)突破100個(gè)。為135家企業(yè)、高校和研發(fā)機(jī)構(gòu)提供測(cè)試分析服務(wù)。

附：會(huì)議信息

會(huì)議時(shí)間：2025年8月10日-13日

會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó)·大連

主辦單位：

中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)委員會(huì)

中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)

承辦單位：

大連理工大學(xué)

東北師范大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

協(xié)辦單位：

集成光電子全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）

中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所特種發(fā)光科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

一、組織機(jī)構(gòu)

名譽(yù)主席：甘子釗、王占國(guó)、鄭有炓

顧問(wèn)委員會(huì)（按姓氏首字母排序）：褚君浩、杜國(guó)同、顧  瑛、關(guān)白玉、郝  躍、黃  如、賈明星、江風(fēng)益、李?lèi)?ài)珍、李晉閩、李樹(shù)深、劉紀(jì)美、劉  明、劉  勝、羅  毅、申德振、孫祥楨、王立軍、許寧生、楊德仁、葉志鎮(zhèn)、俞大鵬、張國(guó)義、張  榮、張  躍、鄭婉華

大會(huì)主席：劉益春

共同主席：沈  波、楊  輝、吳  玲

程序委員會(huì)

主  席: 徐  科

副主席：黎大兵、張?jiān)礉?、朱嘉?/p>

委  員（按姓氏首字母排序）：敖金平、蔡樹(shù)軍、陳長(zhǎng)清、陳敦軍、陳  弘、陳  敬、陳堂勝、陳萬(wàn)軍、陳小龍、陳秀芳、程  凱、遲  楠、單崇新、丁琪超、董博宇、馮士維、馮志紅、顧書(shū)林、賀東江、黃伯寧、黃  豐、黃  凱、康俊勇、賴(lài)占平、李國(guó)強(qiáng)、梁  建、劉  斌、劉國(guó)友、劉建平、劉木清、劉  榕、劉斯揚(yáng)、劉新宇、劉  揚(yáng)、龍世兵、陸  海、羅小蓉、馬曉華、毛  維、歐  欣、潘  毅、裴  軼、彭俊彪、皮孝東、邱宇峰、盛  況、孫  錢(qián)、孫偉鋒、孫小衛(wèi)、孫曉娟、唐  寧、陶緒堂、萬(wàn)成安、萬(wàn)玉喜、汪  萊、王德君、王  鋼、王宏興、王建峰、王江波、王軍喜、王來(lái)利、王  立、王新強(qiáng)、吳毅鋒、肖國(guó)偉、徐海陽(yáng)、徐士杰、徐現(xiàn)剛、許福軍、薛玉雄、閆建昌、楊富華、葉建東、伊?xí)匝唷⒂诤橛?、?nbsp; 峰、張保平、張  波、張國(guó)旗、張進(jìn)成、張金風(fēng)、張  龍、張乃千、張清純、鄭雪峰、張玉明、趙德剛、趙麗霞、鄭晨焱

組織委員會(huì)

主  席: 梁紅偉

副主席：陳志濤、阮軍、張書(shū)明

委  員（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陳  鵬、陳義強(qiáng)、陳志忠、程紅娟、方  方、方文饒、房玉龍、和巍巍、黃少華、黃文海、耿  博、龔  政、郭  清、郭世平、郭  煒、郝茂盛、胡衛(wèi)國(guó)、化夢(mèng)媛、黃火林、黃  森、何晨光、賀致遠(yuǎn)、紀(jì)志坡、賈  銳、賈志泰、蔣  科、矯淑杰、江  灝、鞠光旭、孔月蟬、李炳生、李金釵、李述體、李忠輝、梁劍波、劉  超、劉軍林、劉可為、劉  雯、劉新科、劉玉懷、劉召軍、劉志強(qiáng)、劉宗亮、陸  敏、呂元杰、梅云輝、馬劍鋼、苗振林、母鳳文、牛萍娟、潘堯波、齊紅基、全知覺(jué)、任國(guó)強(qiáng)、賽青林、桑立雯、宋  波、孫海定、孫文紅、孫永強(qiáng)、田朋飛、王光緒、王嘉銘、王茂俊、王  琦、王榮華、王鑫華、王英民、魏同波、汪煉成、吳  亮、吳嘉偉、吳雅蘋(píng)、謝志國(guó)、徐明升、楊  霏、楊蘭芳、楊  樹(shù)、楊學(xué)林、殷  紅、于彤軍、張佰君、張  峰、張  輝、張紀(jì)才、張建立、張景文、張葦杭、張  嵩、張  雄、張宇昊、張  韻、張紫輝、趙璐冰、趙  維、周春華、周  弘、周  琦

大會(huì)秘書(shū)處

秘書(shū)長(zhǎng)： 張振中 黃火林

副秘書(shū)長(zhǎng)： 趙  紅 張克雄 張赫之

成  員： 賈欣龍、馬浩然、夏曉川、孫雨周、代建勛、柳陽(yáng)、李鵬、王月飛、楊霖等

三、主要日程

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四、大會(huì)主題

綠色能源與智能時(shí)代的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

五、會(huì)議征文方向：

1.材料生長(zhǎng)(氮化物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、碳化硅、金剛石等)

2.材料物性和表征技術(shù)(光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等)

3.光電子器件及其應(yīng)用(LED、Micro-LED、LD、光電探測(cè)器等)

4.電子器件及其應(yīng)用(射頻電子器件、功率電子器件、傳感器及集成電路等)

5.新型寬禁帶材料與器件(超寬禁帶半導(dǎo)體、二維寬禁帶半導(dǎo)體、有機(jī)寬禁帶半導(dǎo)體等)

6.輻射及高能粒子探測(cè)器件

征文要求：

1.符合上述內(nèi)容的論文摘要；

2.論文摘要主題突出、內(nèi)容層次分明、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、論述嚴(yán)謹(jǐn)、結(jié)論明確、采用法定計(jì)量單位；

3.論文摘要須以WORD文檔格式，包含標(biāo)題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻(xiàn)等在內(nèi)不超過(guò)一頁(yè)A4紙；

4.提交截止日前,以電子郵件方式（投稿郵箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至?xí)h組委會(huì)秘書(shū)組；相關(guān)模板可登錄大會(huì)官網(wǎng)（http://www.wbsc.org.cn）或查詢(xún)附件；

5.所有論文摘要均編入會(huì)議文集。

六、會(huì)議注冊(cè)費(fèi)

1.普通代表（A類(lèi)票）：

2800元（含會(huì)議文集、日程等會(huì)議資料及會(huì)議期間相關(guān)服務(wù)）

2.學(xué)生代表（B類(lèi)票）：

2300元（與普通代表會(huì)議待遇相同，但須提交相關(guān)證件）

掃碼注冊(cè)報(bào)名

掃碼注冊(cè)報(bào)名

七、注冊(cè)費(fèi)繳費(fèi)方式

1.通過(guò)銀行匯款

開(kāi)戶(hù)行：中國(guó)工商銀行北京市分行百萬(wàn)莊支行

賬  號(hào)：0200001409014413573

名  稱(chēng)：中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)

注：銀行匯款請(qǐng)務(wù)必備注“寬禁帶會(huì)議+參會(huì)代表姓名”

2.線(xiàn)上繳費(fèi)，登錄官網(wǎng)，

3.現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（接受掃碼、刷卡）

八、會(huì)議信息及聯(lián)系人

1.會(huì)議官網(wǎng)：http://www.wbsc.org.cn

（會(huì)議詳細(xì)信息請(qǐng)掃碼關(guān)注大會(huì)官網(wǎng)）

2.論文征集聯(lián)系人

張克雄：15382208398；Email: kxzhang@dlut.edu.cn

張赫之：13478911634；Email: hez.zhang@dlut.edu.cn

張振中：18626668329；Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn

3.合作咨詢(xún)

參會(huì)咨詢(xún)：

蘆老師：13601372457，E：lul@casmita.com

商務(wù)合作：

賈先生：18310277858，E：jiaxl@ casmita.com

張小姐：13681329411，E：zhangww@ casmita.com

參會(huì)代表財(cái)務(wù)咨詢(xún)：

龐老師：15010359809

熱烈歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流！

4、酒店信息

會(huì)議酒店：大連香格里拉大酒店

位于人民路商業(yè)街，與中山廣場(chǎng)相鄰（大連市中山區(qū)人民路66號(hào)）。

房間價(jià)格：高級(jí)房：1000元/間夜（含單早），豪華房：1100元/間夜（含單早）

掃碼跳轉(zhuǎn)酒店官網(wǎng)預(yù)定鏈接：

住宿協(xié)議酒店:

·大連心悅大酒店（中山區(qū)人民路81號(hào)）

商務(wù)大床房：420元間/夜（含單早）

商務(wù)雙人房：420元間/夜（含雙早）

訂房聯(lián)系方式：宋經(jīng)理18640869188

距離會(huì)議酒店：477米

·大連新嘉信酒店（中山區(qū)五五路53號(hào)）

大床房：468元間/夜（含雙早）

雙床房：468元間/夜（含雙早）

訂房聯(lián)系方式：任經(jīng)理18940991977

距離會(huì)議酒店:約1公里

·桔子水晶酒店（大連中山廣場(chǎng)店）

高級(jí)大床房：500元間/夜（含單早）

訂房聯(lián)系方式：朱經(jīng)理18642677723

距離會(huì)議酒店:約1.1公里

·大連渤海明珠酒店（中山區(qū)勝利廣場(chǎng)8號(hào)）

標(biāo)準(zhǔn)大床房：440元間/夜（含雙早）

標(biāo)準(zhǔn)雙床房：440元間/夜（含雙早）

訂房聯(lián)系方式：張經(jīng)理15840631085

備注：10間以上價(jià)格為420元

距離會(huì)議酒店:約1.9公里

注：大連旅游城市正值旅游旺季，酒店實(shí)際價(jià)格有可能調(diào)整，以酒店公布為準(zhǔn)。

5.交通信息