氧化鎵（Ga2O3）是一種超寬禁帶半導體材料，其高擊穿場強、高Baliga品質因數(shù)、低成本熔融生長技術等突出優(yōu)點使其在功率器件（SBD、MOSFET、功率IC）領域具有重要的應用。目前國際上對超寬禁帶Ga2O3材料和器件領域的研究興趣倍增，在各發(fā)達國家半導體技術前瞻布局中具有重要的戰(zhàn)略地位。
9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業(yè)網、第三代半導體產業(yè)主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導。
會上，中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長龍世兵分享了題為“低成本高性能氧化鎵功率器件”的主題報告，報告重點分析Ga2O3半導體功率電子器件的國內外研究發(fā)展現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢和面臨的挑戰(zhàn)。
嘉賓簡介
龍世兵，從事寬禁帶半導體器件、存儲器的研究。國家杰出青年科學基金獲得者，IEEE高級會員。在IEEE EDL等國際學術期刊和會議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引4000余次，H因子35，5篇論文入選ESI高引論文。主持國家自然科學基金、科技部、中科院等資助科研項目18項。獲得年國家技術發(fā)明獎二等獎、國家自然科學二等獎、中國科學院杰出科技成就獎。
