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新品發(fā)布丨能訊半導(dǎo)體微波能2.4-2.5GHz 600W氮化鎵射頻功率放大器

實(shí)現(xiàn)1>1+1的創(chuàng)新！Wolfspeed 碳化硅基氮化鎵功率晶體管，賦能蜂窩通信創(chuàng)新

年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目設(shè)計(jì)采購施工總承包公告

博康（嘉興）半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開工

博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開工總投資6億元

總投資約6億元，博康嘉興氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開工

英諾賽科孟無忌：氮化鎵在新能源智能汽車的應(yīng)用探索與實(shí)踐

Yole Group：中國廠商正引領(lǐng)氮化鎵在消費(fèi)電子應(yīng)用！

美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：中高壓（1-10kV）氮化鎵功率器件新進(jìn)展

重磅收購！英飛凌57億元收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動下 PBN（熱解氮化硼）市場需求空間廣闊

氮化鎵功率器件領(lǐng)域的新選擇

南科大電子系化夢媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

IFWS：氮化鎵功率電子器件技術(shù)研究進(jìn)展

現(xiàn)場火爆！IFWS：氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)論壇召開

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購廢標(biāo)公告

英諾賽科氮化鎵創(chuàng)新方案領(lǐng)跑2023！

英諾賽科推出高集成半橋驅(qū)動氮化鎵功率芯片ISG3201

簡述氮化鎵的合成制備及展望

IFWS 前瞻：氮化鎵功率電子器件分會日程出爐

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購競爭性磋商公告

簡述氮化鎵的主要應(yīng)用領(lǐng)域

IFWS 前瞻：氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會日程出爐

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺達(dá)電子篇

中國電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

港府：發(fā)展半導(dǎo)體芯片并非走他人老路，第三代氮化鎵芯片是全球新趨勢

快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號探測

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