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CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場效應晶體管通用技術(shù)規(guī)范

第三代半導體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導體完成數(shù)億元C輪融資

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供貨商Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務，擴大氮化鎵應用實驗室

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”

蘇州半導體激光創(chuàng)新研究院、中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”揭牌成立

世界先進宣布0.35微米650 V氮化鎵制程進入量產(chǎn)

長平時代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

納微氮化鎵（GaN）半橋功率芯片專利布局解讀

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團體標準已形成委員會草案

宏光半導體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

華清電子材料實現(xiàn)了超大尺寸高導熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破

IFWS 2022前瞻：氮化物襯底材料生長與外延

千里新材高性能氮化硅制品產(chǎn)業(yè)化及總部基地項目開工

格芯獲得 3000 萬美元政府資金用于氮化鎵 GaN 芯片生產(chǎn)

半導體所等研究團隊合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進展

上海出臺措施發(fā)展展壯大未來產(chǎn)業(yè)集群推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體化合物發(fā)展

IFWS 2022前瞻：氮化鎵功率電子材料與器件技術(shù)新進展

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵HEMTs

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設備

第三代半導體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)剖析

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

宏光半導體與協(xié)鑫集團擬于氮化鎵功率芯片在新能源領(lǐng)域的應用開展密切合作

氮化物寬禁帶半導體企業(yè)中博芯宣布完成Pre-A輪融資

氮化鎵功率芯片廠商納微半導體收購SiC公司GeneSiC 加速在電動汽車等領(lǐng)域擴張

英諾賽科：建立氮化鎵生態(tài)的時機已經(jīng)到來

蘇州納維總部大樓榮耀封頂！預計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上

氮化物寬禁帶半導體材料廠商中博芯將亮相第十七屆全國MOCVD學術(shù)會議

臺亞積極布局第三代半導體，主攻以氮化鎵為基礎(chǔ)功率器件

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