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CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)陳冉升:六方氮化硼薄膜生長(zhǎng)及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的研究

簡(jiǎn)述GaN 外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

晶升股份擬1億元投建半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備生產(chǎn)及實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

國(guó)際領(lǐng)先！新一代SIC晶體生長(zhǎng)用材料

中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展候選推薦——溶液生長(zhǎng)BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高靈敏X-射線探測(cè)

國(guó)內(nèi)首家！廈門(mén)大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

臺(tái)灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)！

簡(jiǎn)述SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

IFWS：碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)前沿研究

現(xiàn)場(chǎng)火爆！IFWS：氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)論壇召開(kāi)

簡(jiǎn)述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

開(kāi)年重要碳化硅半導(dǎo)體論壇！直擊碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)前沿進(jìn)展

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長(zhǎng)爐采購(gòu)廢標(biāo)公告

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長(zhǎng)爐采購(gòu)競(jìng)爭(zhēng)性磋商公告

IFWS 前瞻：氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)分會(huì)日程出爐

賽微電子已具備6-8英寸GaN外延材料生長(zhǎng)能力正在推動(dòng)山東GaN產(chǎn)線建設(shè)

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)6英寸碳化硅晶體研發(fā)實(shí)驗(yàn)線

晶盛機(jī)電：已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體

中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院（微電子學(xué)院）晶圓級(jí)二維原子晶體材料MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)采購(gòu)項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告

復(fù)旦大學(xué)單晶襯底生長(zhǎng)系統(tǒng)采購(gòu)公開(kāi)招標(biāo)公告

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

突破SiC生長(zhǎng)關(guān)鍵核心材料解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體

IFWS 2022前瞻：氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延

IFWS 2022看點(diǎn)前瞻：碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長(zhǎng)集成

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)選擇性生長(zhǎng)方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，將提升在第三代半導(dǎo)體材料端的競(jìng)爭(zhēng)力

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)獲得成功

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