亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<bdo id="thx5d"></bdo>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺(jué)芯片研制取得新進(jìn)展

半導(dǎo)體所在2D/3D雙模視覺(jué)處理芯片研制取得新進(jìn)展

山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

上海新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目全面封頂

IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開(kāi)發(fā)

粵海金半導(dǎo)體順利研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開(kāi)發(fā)

國(guó)內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

國(guó)內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

國(guó)內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

我國(guó)成功研制新型光學(xué)晶體可滿足半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)等領(lǐng)域重大需求

廈大團(tuán)隊(duì)研制成功拓?fù)渥孕虘B(tài)光源芯片

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進(jìn)展

中國(guó)電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

上海光機(jī)所在特殊波長(zhǎng)的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進(jìn)展

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)印發(fā)《2023年全國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》加強(qiáng)新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

從基礎(chǔ)到應(yīng)用碳化硅晶體研制獲突破

重大突破 | 國(guó)內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級(jí)聯(lián)905nm VCSEL

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所“深紫外激光光致發(fā)光光譜儀”入選中國(guó)科學(xué)院自主研制科學(xué)儀器名錄

智新半導(dǎo)體已研制出基于第3代半導(dǎo)體碳化硅的功率模塊

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

第2頁(yè)/共4頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<rp id="r4vqk"></rp>

<track id="r4vqk"><label id="r4vqk"></label></track>