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中國(guó)科學(xué)院氮化鎵基無(wú)源太赫茲相控陣機(jī)制研究獲進(jìn)展

2025年新增批次海外優(yōu)青：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所誠(chéng)邀您申報(bào)

科研成果 | 唐寧、沈波團(tuán)隊(duì)與合作者利用深紫外光譜在原子級(jí)薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進(jìn)展

蘇州納米所秦華團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基無(wú)源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展

氮化鎵外延層中位錯(cuò)輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）招聘啟事

長(zhǎng)春光機(jī)所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氮化物載流子動(dòng)力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測(cè)方面取得系列進(jìn)展

【年薪可達(dá)50萬(wàn)】廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組2025年誠(chéng)聘博士后（理論計(jì)算模擬方向）

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所獲批“北京國(guó)際科技合作基地”

Wolfspeed與紐約州立大學(xué)理工學(xué)院加強(qiáng)教育研究合作，助力推動(dòng)碳化硅技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

[誠(chéng)邀英才]新加坡科技研究局（A*STAR）微電子研究所（IME）功率半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)

中國(guó)科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動(dòng)高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)成功召開

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國(guó)際功率半導(dǎo)體會(huì)議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議ISPSD2025

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)多項(xiàng)碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀I(xiàn)EEE ISPSD 2025

臺(tái)積電-東京大學(xué)實(shí)驗(yàn)室啟用，雙方聯(lián)手推動(dòng)半導(dǎo)體研究和教育

工業(yè)和信息化部專題研究部署推動(dòng)人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和賦能新型工業(yè)化

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

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